[发明专利]一种硅通孔结构有效
| 申请号： | 201310241943.9 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241248B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 | ||
1.一种硅通孔结构，包括：
硅通孔；
以及与所述硅通孔相连接的反熔丝层；
所述反熔丝层包括高K氧化物层，在施加电压的情况下，其电阻由高阻态转换到低阻态，在不施加电压的情况下，其电阻可由低阻态转换到高阻态，以实现所述硅通孔的程序化。
2.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述硅通孔由内向外依次包括导电层、阻挡层和衬里层。
3.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述高K氧化物层为ZrO2层、TiO层、HfOx层、NiO层或ZnO层。
4.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述高K氧化物层中掺杂有金属离子。
5.根据权利要求4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述金属离子为Au、Cu和/或Ag，以控制所述高K氧化物层中金属离子的浓度和分布。
6.根据权利要求4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述金属离子为Ti，以控制所述高K氧化物层中的氧空位。
7.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述反熔丝层还包括位于高K氧化物层上方的第一金属层。
8.根据权利要求7所述的硅通孔结构，其特征在于，所述反熔丝层还包括位于高K氧化物层和所述硅通孔之间的第二金属层。
9.根据权利要求8所述的硅通孔结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层包括Pt、Au、Cu、Ti和W中的一种。
10.根据权利要求1或7所述的硅通孔结构，其特征在于，所述反熔丝层为ZrO2层-Pt层或ZrO2层-Cu层。
11.根据权利要求1或8所述的硅通孔结构，其特征在于，所述反熔丝层为Pt层-ZrO2层-Pt层或Pt层-ZrO2层-Cu层。
12.根据权利要求4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述金属离子的掺杂剂量为1×1011-1×1013原子cm-2。
13.根据权利要求4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述金属离子的掺杂能量为10-100Kev。
14.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述反熔丝层的厚度为20-200nm。
15.一种半导体器件，至少包括权利要求1至14之一所述的硅通孔结构。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括至少两个电极，分别与所述硅通孔和所述反熔丝层连接，以控制所述反熔丝层在高阻态到低阻态之间的反复切换。
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