[发明专利]一种镜面可切换显示器及其制造方法有效
申请号: | 201310242850.8 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN103337510A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 王海宏;焦峰;吴剑龙 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镜面可 切换 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种镜面可切换显示器,包括:上基板、阵列基板以及间隔排列在阵列基板上的多个像素区和多个镜面区;所述每个镜面区包括,位于阵列基板上的下电极、位于上基板上的上电极、以及位于下电极与上电极之间的PDLC层。
2.根据权利要求1所述的镜面可切换显示器,其特征在于:所述每个像素区包括,与阵列基板电性连接的像素电极、位于像素电极上的发光层、以及位于发光层上的共通电极。
3.根据权利要求2所述的镜面可切换显示器,其特征在于:阵列基板包括开关电路TFT器件、以及覆盖开关电路和TFT器件的绝缘层。
4.根据权利要求1所述的镜面可切换显示器,其特征在于:所述的镜面区的上电极由ITO材料或多层氧化物复合电极材料制成;所述的镜面区的下电极由Ag、或Al、或Ti、或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中两者结合或两者以上结合的材料制成。
5.根据权利要求2所述的镜面可切换显示器,其特征在于:所述的共通电极由ITO材料或多层氧化物复合电极材料制成;所述的像素电极由ITO或者金属Ag、或Al、或Ti,或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中两者结合或两者以上结合的材料制成。
6.根据权利要求4或5所述的镜面可切换显示器,其特征在于:所述的多层氧化物复合电极材料可以为ITO/Au/ITO、或ITO/Au/ITO或ZnO/Cu/ZnO。
7.一种镜面可切换显示器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:在阵列基板上制作像素电极以及下电极,下电极位于像素电极的两侧;
步骤2:在形成上述图案的阵列基板上涂布光刻胶;
步骤3:在形成上述图案的阵列基板上对像素区域的光刻胶进行曝光显影,并接着对像素区域进行发光层成膜;
步骤4:形成上述图案的阵列基板上余下部分光刻胶;
步骤5:形成上述图案的阵列基板上的镜面区域注入PDLC溶液;
步骤6:上述PDLC溶液进行UV固化,即形成PDLC层;
步骤7:在相邻两PDLC层之间制作发光层;
步骤8:在形成上述图案的阵列基板上形成共通电极以及 PDLC的上电极后,接着贴合上透明基板。
8.一种镜面可切换显示器,包括:
一有机发光显示面板,包括,上基板、阵列基板、多个像素区以及多个透光区;所述的像素区与所述的透光区间隔排列;
一PDLC面板,配置于所述有机发光显示面板的阵列基板侧,具有一上电极,该上电极对应所述的阵列基板,一下电极以及位于上下电极之间的PDLC层。
9.根据权利要求8所述的镜面可切换显示器,其特征在于:所述的透光区包括位于所述的上基板和所述的阵列基板的绝缘层之间的PDLC层。
10.根据权利要求8所述的镜面可切换显示器,其特征在于:所述的上电极由ITO或多层氧化物复合电极材料制成;所述的下电极由Ag、或Al、或Ti、或Cu或Ag、Al、Ti和Cu中两者结合或两者以上结合的材料制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,未经南京中电熊猫液晶显示科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310242850.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的