[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

技术领域

本发明有关于包括错误校正码(ECC)逻辑的存储器装置和系统，尤其是一种具有受配置防止过度校正的错误校正的存储器装置及其操作方法。

本申请案主张受益于在2013/3/12提出申请的美国临时专利申请案号61/776,812，而所述案件全文便如同本文的参照。

背景技术

用于集成电路存储器的存储器技术被发展在越来越小的节点，且被部署在一单个集成电路上的越来越大的存储器阵列上。用于存储器存储单元的技术不断进步时，感测数据的边界能够变得更加紧密。而且，由于存储器存储单元和相邻存储器存储单元遭受高速且大量的存取，而导致出现干扰存储器存储单元状态之故，存储器存储单元保持数据值的能力将受限于上述更加紧密的边界。

由于这些技术限缩于尺寸和密度，为了探讨那些缘自更加紧密的感测边界和存储器存储单元干扰的议题，使用多个错误校正码(ECCs)与嵌入集成电路存储器的支持逻辑已变得更加广泛。

在某些系统中，存储器存储单元的阈值电压或其他感测的条件可随时间漂移，或随数据循环。解决读取漂移的技术和通过移动读取偏压的条件以匹配漂移的程序操作已经被提出。例如参考由Cohen和Polansky等人所提出的美国专利号6,992,932：“A4b/cell NROM1Gb Data-Storage Memory，”ISSCC2006，Session7/Non-Volatile Memory/7.1，January2006。

虽有错误校正技术的领域，错误率仍可限制了现存存储器技术的可用性，并延后了新存储器技术的演进。因此，亟待提高可应用于存储器装置的错误校正技术。

发明内容

本发明提供了一种存储器装置以及操作一存储器的方法。所叙述的一种操作方法包括：通过进行迭代，从该存储器读取一数据集，其中一迭代包括在所选存储单元中使用一读取偏压而感测数据，以及在该所感测数据中产生一错误指示。如果在一迭代的错误指示小于一临界值，则迭代使用该迭代中从选择的存储单元所感测到的数据。如果在该迭代的错误指示大于一临界值，迭代则使用一移动读取偏压以执行另一次迭代。然而，如果在该迭代的错误指示相对于一前次迭代错误增加，则使用一“反向移动“，因此前一迭代从所选择的存储单元所感测到的数据(即使用读取感测等于或接近于前一迭代读取偏压)能够被输出。因此，该读取偏压状态的过度校正可被补偿或预防。

操作一存储器装置的方法的一实施例，该实施例实施“反向移动“，包括：一种操作一存储器的方法，包括：通过执行迭代而从该存储器选择的存储单元读取一数据集，所述迭代包括使用一读取偏压而感测所选择存储单元中的数据，及在所感测数据中产生一错误指示。而在迭代中使用一读取偏压；然后如果在该一迭代中的该错误指示小于一临界值，则从迭代所选择存储单元中输出在该一迭代中所感测的该数据；以及如果在该一迭代中的该指示超过一临界值，则移动该读取偏压并执行另一迭代，又如果在该迭代中的该指示小于该临界值，则输出在该迭代中从选择存储单元中感测的数据；如果相对于第一迭代，在该第二迭代中的错误增加的情况，则从所选择存储单元中输出在该第一迭代中所感测的数据。

如果需要的话，所述方法可包括额外的迭代。

本发明的其他部分以及优点，可参考下文的图式、详细说明和随附权利要求范围而得知。

附图说明

图1是包括反向移动逻辑的一存储器装置的一方块图。

图2是位计数对于阈值电压图，展示一存储器存储单元中阈值电压分布，其目的在于描述读取偏压移动技术。

图3展示如同参照图2的一读取偏压移动技术的一效能图。

图4是位计数对于阈值电压图，展示一存储器存储单元的阈值电压分布图，其目的即在于描述使用一反向移动的读取偏压的移动技术。

图5展示如同参照图4所示的一读取偏压移动技术，而无一反向移动的效能图。

图6是包括可用于实施一反向移动的双缓冲器逻辑的一逻辑图。

图7是用于实施反向移动而操作一存储装置的一方法的一流程图。

【符号说明】

100  存储器装置

101  输入/输出端

102  控制端

112  控制信号

103  命令译码器

104  行译码器(x-译码器)

105  列选择器(y选择器)

190  存储器阵列

106  分页缓冲器

140  错误校正码逻辑