[发明专利]用于升压开关的系统和方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

激活第一半导体开关，所述第一半导体开关具有耦合到自举电路的第一输入端的第一开关节点、第二开关节点以及耦合到所述自举电路的电容器的第一端的控制节点，激活包括：

     将所述电容器的第一端耦合到所述自举电路的所述第一输入端，

     将所述电容器的第二端设置为第一电压，

     在耦合所述电容器的所述第一端并且将所述电容器的所述第二端设置为所述第一电压之后，使所述电容器的所述第一端与所述自举电路的所述第一输入端解耦，

     在使所述电容器的所述第一端解耦之后，将所述电容器的所述第二端设置为第二电压，其中，所述控制节点被升压到接通所述第一半导体开关的第一激活电压。

2.根据权利要求2所述的方法，进一步包括使所述第一半导体开关去激活，去激活包括将所述电容器的所述第一端耦合到所述自举电路的所述第一输入端并且将所述电容器的所述第二端设置为所述第一电压。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括对具有耦合到所述第二开关节点的第一端的串联电容器进行充电，对所述串联电容器进行充电包括：

激活所述第一半导体开关；

激活具有耦合到所述串联电容器的第二端的第三开关节点的第二半导体开关。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一半导体开关在所述第二半导体开关被激活之后的第一时间延迟被激活。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，对所述串联电容器进行充电进一步包括将虚拟接地耦合到所述第二半导体开关的第四开关节点。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，耦合所述虚拟接地包括将反馈放大器耦合到所述半导体开关的所述第四开关节点。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，激活所述第二半导体开关包括将所述半导体开关的控制节点耦合到第二激活电压，其中所述第二激活电压小于所述第一激活电压。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括保护所述第一半导体开关，保护包括使用耦合在所述第一半导体开关的所述第一开关节点与所述半导体开关的所述控制节点之间的齐纳二极管来限制所述第一半导体开关的所述第一开关节点与所述半导体开关的所述控制节点之间的电压差。

9.一种电路，其包括：

第一半导体开关，其被耦合在第一节点与第二节点之间；

自举电路，其被配置成当自举电路的时钟输入从第一状态向第二状态转变时将在所述自举电路的第一输出端处的升压激活信号提供给所述半导体开关的控制节点，所述自举电路包括：

     耦合到所述半导体开关的所述第一节点的第一输入端，

     耦合到所述第一半导体开关的控制节点的第一输出端，

     包括耦合到所述第一输出端的第一端和耦合到时钟输入的第二端的第一电容器，以及

     耦合在所述第一输入端与所述第一输出端之间的第二半导体开关，所述自举电路被配置成当所述时钟输入从第一状态向第二状态转变时在所述自举电路的所述第一输出端处提供升压激活信号。

10.根据权利要求9所述的电路，其中，所述自举电路进一步包括：

第二电容器，其包括被耦合的第一端和第二端，所述第二端被耦合到反相时钟输入并且到所述第二半导体开关的控制节点，所述反相时钟输入具有与所述时钟输入相反的逻辑意义；

第三半导体开关，其被耦合在所述第一输入端与第二电容器的所述第一端之间，所述第三半导体开关进一步包括耦合到所述第一电容器的所述第一端的控制输入端。

11.根据权利要求9所述的电路，其中，所述第一和第二半导体开关包括MOS晶体管。

12.根据权利要求11所述的电路，其中，所述MOS晶体管包括NMOS晶体管。

13.根据权利要求9所述的电路，进一步包括耦合在所述第一半导体开关的所述第二节点与放大器的第一输入端之间的第一串联电容器。

14.根据权利要求13所述的电路，其中，所述放大器的所述第一输入端被配置为虚拟接地。