[发明专利]基于微机械固支梁电容式功率传感器的分频器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310244032.1 申请日: 2013-06-19
公开(公告)号: CN103281078A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 廖小平;乔威 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03L7/18 分类号: H03L7/18
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 210033 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 微机 械固支梁 电容 功率 传感器 分频器 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及微电子机械系统(MEMS),尤其是基于微机械固支梁电容式功率传感器的分频器。

背景技术

随着频率合成技术的发展,基于锁相环的分频技术应运而生,在数字电视、音响、频率源、通信等领域有广泛的应用前景。锁相分频技术是指锁相环通过对参考信号与环路反馈分频信号进行相位比较来控制压控振荡器产生所需的频率。这种分频系统电路简单,具有频率稳定度好、相位噪声低、杂散抑制度好等优点。直接利用锁相环模块来设计分频器,降低了设计难度和系统调试难度,节约了时间成本。近年来,随着MEMS技术的快速发展,基于微机械固支梁结构电容式功率传感器的锁相环引起我们的注意,使基于微机械固支梁结构电容式功率传感器的分频器成为可能。

发明内容

要解决的技术问题:根据现有技术的不足,本发明提供一种基于微机械固支梁电容式功率传感器的分频器,解决现有技术中分频器设计难度高、调试难度大和时间成本高等缺陷。

技术方案:为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:

基于微机械固支梁电容式功率传感器的分频器,包括衬底、设置在衬底上的共面波导信号线、地线、两对MEMS固支梁结构、功合器、终端匹配电阻和MEMS固支梁结构电容式功率传感器,以及外接电容三点式压控振荡器和乘法器,在所述衬底上定义一条对称轴线;

所述地线以对称轴线为中心形成对称分布,包括对称分布于该对称轴线的两条侧边地线和一条位于对称轴线上的中心地线;所述两条侧边地线上各有一个对称分布的缺口;所述共面波导信号线以对称轴线为中心形成对称分布,包括对称分布于该对称轴线的两条输入共面波导信号线和一条位于对称轴线上的输出共面波导信号线;所述两条输入共面波导信号线分别作为输入信号和反馈信号的输入端;所述输出共面波导信号线与侧边地线之间设有终端匹配电阻;

所述功合器以对称轴线为中心形成对称分布,包括对称分布于该对称轴线的两条不对称共面带线信号线和隔离电阻;所述的两条不对称共面带线信号线的输入端通过隔离电阻隔离,且分别与两条输入共面波导信号线相连;所述的两条不对称共面带线信号线的输出端相连后接入所述输出共面波导信号线;所述输出共面波导信号线与侧边地线之间设有终端匹配电阻;

所述两对MEMS固支梁结构分别记为第一对固支梁结构和第二对固支梁结构;所述第一对MEMS固支梁结构包括相对对称轴线对称的两个第一固支梁,所述两个第一固支梁分别横跨在相应侧的输入共面波导信号线的上方,所述第一固支梁的两端分别通过锚区固定在中心地线和同一侧的侧边地线上;所述第二对MEMS固支梁结构包括相对对称轴线对称的两个第二固支梁,所述两个第二固支梁分别通过锚区连接同一侧的侧边地线的缺口两端;

所述MEMS固支梁结构电容式功率传感器,包括一个第三固支梁结构、两个传感电极、两个压焊块;所述第三固支梁结构中的第三固支梁位于所述输出共面波导信号线的上方、第三固支梁的两端分别通过锚区与两侧的侧边地线相连;所述两个传感电极均位于第三固支梁结构下方且对称分布于输出共面波导信号线和对应侧边地线之间,所述传感电极与其上方的第三固支梁之间形成可变电容;所述两个传感电极各自通过一条连接线与其同侧一个压焊块相连,与两个传感电极相连的两条连接线分别穿过两侧的侧边地线的缺口;所述另一个压焊块通过一条连接线与其中一条侧边地线相连;

所述外接电容三点式压控振荡器的两个输入端分别与所述两个压焊块相连;所述外接压控振荡器的输出信号经过乘法器后作为反馈信号连接至所述输入共面波导信号线;

在所述第一对MEMS固支梁结构中,第一固支梁对应下方的输入共面波导信号线上覆盖有绝缘介质层;在所述第二对MEMS固支梁结构中,第二固支梁下方的连接线上覆盖有绝缘介质层;在所述MEMS固支梁结构电容式功率传感器中的固支梁结构中,第三固支梁下方的传感电极和输出共面波导信号线上覆盖有绝缘介质层。

所述衬底的材料为砷化镓。所述绝缘介质层的材料为氮化硅。所述隔离电阻和终端匹配电阻的材料为氮化钽。

基于微机械固支梁电容式功率传感器的分频器的制备方法,包括以下步骤:

1)准备砷化镓衬底:选用外延的半绝缘砷化镓衬底,其中外延N砷化镓的掺杂浓度为1018cm-3,其方块电阻值为100~130Ω/□;

2)光刻:去除将要保留氮化钽地方的光刻胶;

3)溅射氮化钽,其厚度为1μm;

4)剥离;

5)光刻:去除将要保留第一层金的地方的光刻胶;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310244032.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top