[发明专利]一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310244408.9 申请日: 2013-06-19
公开(公告)号: CN103320856A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 廖宇龙;张怀武;钟智勇;白飞明;李颉 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B1/02
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 无氟单晶 tio sub 纳米 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:以金属钛片为衬底材料,首先采用阳极氧化工艺,在含氟的有机电解液中对金属钛片进行氧化,在金属钛片表面生成无定型态TiO2纳米管阵列薄膜;

步骤2:将表面生成了无定型态TiO2纳米管阵列薄膜的金属钛片置于质量百分比浓度不超过2%的氟化铵水溶液中浸泡2~5分钟后取出晾干;

步骤3:将步骤2处理后的TiO2纳米管阵列薄膜连同金属钛片一起,置于封闭容器中,在450~550℃的温度条件下煅烧1~2小时,得到附着在金属钛片表面且表面含氟的TiO2纳米薄膜;所述TiO2纳米薄膜由(001)面暴露的单晶锐钛矿型TiO2纳米颗粒组成;

步骤4:将步骤3得到的附着在金属钛片表面且表面含氟的TiO2纳米薄膜,置于450~600℃的温度条件下煅烧1~3小时以进行脱氟处理,最终得到无氟单晶TiO2纳米薄膜;所述无氟单晶TiO2纳米薄膜由(001)面暴露的单晶锐钛矿型TiO2纳米颗粒组成,且表面不含氟。

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