[发明专利]紧邻半导体鳍的沟渠及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

隔离区，延伸到所述半导体衬底内；

半导体带，位于所述隔离区之间并与所述隔离区接触；以及

半导体鳍，位于所述半导体带上方并连接至所述半导体带，其中沟渠从所述隔离区的顶面延伸到所述隔离区内，并且所述沟渠邻接所述半导体鳍，

其中，所述隔离区包括：

含锗隔离部件和无锗隔离部件，其中，所述含锗隔离部件与所述半导体导带和所述无锗隔离部件均邻接。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述沟渠形成环绕所述半导体鳍的完整环，所述半导体鳍的所有边缘均与所述沟渠邻接。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述沟渠具有逐渐改变的深度，所述沟渠紧邻所述半导体鳍的部分的深度大于所述沟渠远离所述半导体鳍的部分的深度。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述沟渠具有圆的四分之一的截面形状。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体鳍具有长边和短边，并且所述沟渠包括：

第一部分，与所述长边邻接，所述第一部分具有第一宽度；以及

第二部分，与所述短边邻接，所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体鳍具有长边和短边，并且所述沟渠包括：

第一部分，与所述长边邻接，所述第一部分具有第一深度；以及

第二部分，与所述短边邻接，所述第二部分具有大于所述第一深度的第二深度。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体鳍包括锗，并且所述半导体衬底是硅衬底。

8.一种半导体器件，包括：

硅衬底；

浅沟槽隔离(STI)区，延伸到所述硅衬底内；以及

半导体鳍，位于所述浅沟槽隔离区之间，其中，所述半导体鳍高于所述浅沟槽隔离区的相邻部分，并且所述浅沟槽隔离区包括顶面，所述顶面包括：

第一部分，是平坦的；以及

第二部分，将所述鳍的底部连接至所述顶面的所述第一部分，所述顶面的所述第二部分低于所述顶面的所述第一部分，

其中，所述浅沟槽隔离区包括：

含锗浅沟槽隔离部件，所述顶面的所述第二部分是所述含锗浅沟槽隔离部件的顶面；和

无锗浅沟槽隔离部件，所述顶面的所述第一部分是所述无锗浅沟槽隔离部件的顶面。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述含锗浅沟槽隔离部件延伸到相应的所述无锗浅沟槽隔离部件中的相邻无锗浅沟槽隔离部件的下方。

10.根据权利要求8所述的器件，其中，所述半导体鳍包括硅锗。

11.根据权利要求8所述的器件，其中，在所述浅沟槽隔离区中形成沟渠，并且所述沟渠形成环绕所述半导体鳍的完整环。

12.根据权利要求8所述的器件，其中，所述顶面的所述第二部分从所述半导体鳍的底部逐渐且平滑地过渡到所述顶面的所述第一部分，并且高度逐渐增加。

13.根据权利要求8所述的器件，其中，所述顶面的所述第二部分具有圆的四分之一的截面形状。

14.根据权利要求8所述的器件，其中，所述半导体鳍具有长边和短边，所述顶面的所述第二部分位于所述浅沟槽隔离区的沟渠中，并且所述沟渠包括：

第一部分，与所述长边邻接，所述沟渠的所述第一部分具有第一深度；以及

第二部分，与所述短边邻接，所述沟渠的所述第二部分具有大于所述第一深度的第二深度。

15.一种形成半导体的方法，包括：

使半导体衬底位于隔离区之间的部分凹进以在所述半导体衬底中形成凹槽；

实施外延以在所述凹槽中生长半导体区；以及

使所述隔离区凹进，所述半导体区位于所述隔离区上方的顶部形成半导体鳍，并且当实施使所述隔离区凹进的步骤的同时形成沟渠，所述沟渠位于所述隔离区中且与所述半导体鳍邻接，

其中，所述隔离区由含锗隔离部件和无锗隔离部件构成。