[发明专利]极紫外光刻工艺和掩膜

权利要求书

1.一种极紫外光刻(EUVL)工艺，包括以下步骤：

接收极紫外线(EUV)掩膜，所述EUV掩模包括：

第一主多边形；

第二主多边形，邻近所述第一主多边形；

多个辅多边形；和

不含主多边形和辅多边形的区域，其中，所述主多边形、所述辅多边形和所述区域中的每一个均具有相关的状态，分配给所述第一主多边形的状态不同于分配给所述第二主多边形的状态，分配给所述多个辅多边形的状态相同，并且分配给所述多个辅多边形的状态不同于分配给所述区域的状态；

通过部分相干性б小于0.3的近似轴上照明(ONI)来曝光所述EUV掩膜，从而产生衍射光和非衍射光；

去除70％以上的所述非衍射光；以及

通过投影光学箱(POB)收集和引导所述衍射光和没有被去除的非衍射光以曝光目标。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述EUV掩膜包括：

低热膨胀材料(LTEM)基板；

反射多层(ML)，位于所述LTEM基板的一个面的上方；

导电层，位于所述LTEM基板的相对面的上方；

覆盖层，位于所述反射ML的上方；

缓冲层，位于所述覆盖层的上方；

吸收层，位于所述缓冲层的上方；以及

多个状态，形成在所述吸收层上。

3.根据权利要求2所述的工艺，其中，所述覆盖层和所述缓冲层是单层。

4.根据权利要求1所述的工艺，其中，至少一个辅多边形是亚分辨率多边形，该辅多边形的至少一个边长小于λ/NA，其中，λ是辐射源的波长，而NA是所述投影光学箱的数值孔径。

5.根据权利要求6所述的工艺，其中，通过所述缓冲层、所述覆盖层和所述ML来配置所述第一状态；通过所述吸收层、所述缓冲层、所述覆盖层和所述ML来配置所述第二状态。

6.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述主多边形和所述辅多边形相互接触或重叠。

7.一种极紫外光刻(EUVL)工艺，包括：

接收EUV掩膜，所述EUV掩模包括：

多个主多边形；

多个辅多边形；

不含主多边形和辅多边形的区域；

第一状态，具有第一反射系数r1；和

第二状态，具有第二反射系数r2；

将所述EUV掩膜的不同状态分配给相邻的主多边形；

将所述EUV掩膜的一种状态分配给所有辅多边形，该状态不同于分配给所述区域的状态；

采用部分相干性б小于0.3的近似轴上照明(ONI)来曝光所述EUV掩膜，从而产生衍射光和非衍射光；

去除70％以上的所述非衍射光；以及

通过投影光学箱(POB)收集和引导所述衍射光和没有被去除的非衍射光，以曝光半导体晶圆。

8.根据权利要求15所述的工艺，其中：

通过所述EUV掩膜的缓冲层、覆盖层和ML来配置所述第一状态；以及

通过所述EUV掩膜的吸收层、所述缓冲层、所述覆盖层和所述ML来配置所述第二状态。

9.根据权利要求15所述的工艺，其中，主多边形和辅多边形相互接触或重叠。

10.一种极紫外光刻(EUVL)掩膜，包括：

低热膨胀材料(LTEM)基板；

反射多层(ML)，位于所述LTEM基板的一个面的上方；

导电层，位于所述LTEM基板的相对面的上方；

覆盖层，位于所述反射ML的上方；

缓冲层，位于所述覆盖层的上方；以及

图案化吸收层，位于所述缓冲层的上方，其中，所述图案化吸收层限定了多个状态，并且不同的状态被分配给相邻的主多边形，一个状态被分配给所有辅多边形，分配给所有辅多边形的状态不同于分配给区域的状态。