[发明专利]一种软磁材料及其制备方法有效
申请号: | 201310245603.3 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104230324B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 王绍隆;向其军 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/34 | 分类号: | H01F1/34 |
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地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于通讯领域,尤其涉及一种天线用软磁材料及其制备方法。
背景技术
NFC(近距离无线通讯技术)天线模块中的薄磁片的作用是减小涡流效应,使NFC能正常响应。所以其磁导率的值越高,导通效果就越好;但一般而言,磁导率越高的软磁材料的磁损耗也越高,磁损耗对于磁性能来说是不利的。现有技术中铁硅铝类材料由于本身的电阻率较低,导致磁损耗较高,不利于用于NFC天线模块中作为磁导通材料。此外,磁导通能力越强的磁片越有利于小型化,所以需要磁导率较大而磁损耗较小的软磁材料,一般的软磁材料达不到这个要求。
如公开号为CN102211929A公开了一种低温烧结高磁导率NiCuZn铁氧体材料,其特征在于:该材料是一种NiCuZn铁氧体材料,包括主成分以及辅助成分,主成分以氧化物含量计算为:Fe2O3为40.5-49.6mol%:ZnO为30-47mol%;CuO为5-20mol%;余为NiO;所述辅助成分包括NaCO3、B2O3、Ta2O5,相对所述主成分总量,NaCO3、B2O3、Ta2O5的总含量为0.16wt%-1.65wt%。该材料虽然有很好的高磁导率,但是其磁损耗也较高,不能满足要求。
发明内容
本发明为解决现有的软磁材料的磁导率较大而磁损耗也较大的技术问题,提供一种磁导率较大而磁损耗较小的软磁材料及其制备方法。
本发明提供了一种软磁材料,该软磁材料包括主成分、辅助成分及烧结助剂;所述主成分为Fe2O3、NiO、ZnO和CuO,所述辅助成分为Y2O3和Al2O3-nSiO2;以软磁材料的总摩尔量为基准,所述Y2O3的含量为0.01-1.5mol%,所述Al2O3-nSiO2的含量为0.01-1.5mol%。
本发明还提供了该软磁材料的制备方法,该方法包括以下步骤:
S1将主成分、Y2O3及烧结助剂混合,再加入溶剂和分散剂,进行湿法研磨;
S2 将步骤S1研磨得到的粉料盛入容器内,放入烘箱烘干;
S3 粉料预烧:将烘干后的粉料粉碎,置入烧结容器中进行预烧;
S4将预烧后的粉料和Al2O3-nSiO2进行混合研磨后过筛;
S5 成型:将步骤S4得到的粉料进行成型;
S6 烧结:将成型得到的产品进行烧结,即得到本发明所述的软磁材料。
本发明选用Y2O3和Al2O3-nSiO2并控制其用量,提高了产品的磁性能,使之能够在13.56MHz频率条件下具有较高的磁导率和较小的磁损耗,从而提高手机NFC系统的通讯距离。控制Y2O3的添加量,促进铁氧体晶粒生长,增大晶格常数、提高饱和磁化强度,增大初始磁导率,降低矫顽力,并且影响四面体A 位与八面体B 位离子间的超交换作用,增大电阻率。控制超细Al2O3-nSiO2的添加量,对Fe的稀释作用抑制了Fe2+和Fe3+的导电,故电阻率增大,降低磁损耗,从而提高Q值。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供了一种软磁材料,
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