[发明专利]光掩模基板以及光掩模制作方法

权利要求书

1.一种光掩模基板，由它制造光掩模，该光掩模包括透明衬底和在其上形成的包括对曝光光是透明的区域和有效地不透明的区域的掩模图案，所述光掩模用于在光刻中形成具有0.1μm或更小的抗蚀图案特征，所述光刻包括暴露于波长等于或小于250nm的光，所述光掩模基板包括

透明衬底，

设置在衬底上的光屏蔽膜，任选介于它们之间的另一膜，所述光屏蔽膜具有单层结构或多层结构且包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物，

设置在光屏蔽膜上的减反射膜，所述减反射膜包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物，和

形成于所述减反射膜上的蚀刻掩模膜，所述蚀刻掩模膜包含耐氟干法蚀刻的金属或金属化合物，其中

所述光屏蔽膜由如下组成：仅硅，包含硅和至少一种选择氧、氮和碳的元素的硅化合物，或过渡金属硅化合物，

所述减反射膜由如下组成：仅硅，包含硅和至少一种选择氧、氮和碳的元素的硅化合物，或过渡金属硅化合物，

所述蚀刻掩模膜由如下组成：仅铬，包含铬和至少一种选择氧、氮和碳的元素的铬化合物，仅钽，包含钽且不含硅的钽化合物，或包含铬且不含硅的铬化合物，

所述蚀刻掩模膜具有2-30nm的厚度。

2.权利要求1的光掩模基板，其中所述减反射膜包含与在所述光屏蔽膜中相同的金属。

3.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜、减反射膜和蚀刻掩模膜是邻接层叠的。

4.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜在氟干法蚀刻中相对于所述蚀刻掩模膜具有至少2的选择比。

5.权利要求1的光掩模基板，其中所述透明衬底在氟干法蚀刻中相对于所述蚀刻掩模膜具有至少10的选择比。

6.根据权利要求1的光掩模基板，其中所述蚀刻掩模膜的所述铬化合物包含至少50原子％的铬。

7.权利要求1的光掩模基板，其中所述过渡金属是从钛、钒、钴、镍、锆、铌、钼、铪、钽和钨中选出的至少一种元素。

8.根据权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜包括过渡金属和硅，

所述减反射膜与所述光屏蔽膜邻接设置，且包含过渡金属、硅和氮，以及

所述蚀刻掩模膜与所述减反射膜邻接设置，且包含铬而不含硅或包含钽而不含硅。

9.权利要求1的光掩模基板，其中所述过渡金属是钼。

10.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜还包含氮含量从5原子％到40原子％的氮。

11.权利要求1的光掩模基板，其中所述相移膜插入在层叠的膜之间作为所述另一膜。

12.权利要求11的光掩模基板，其中所述相移膜是半色调相移膜。

13.一种制备光掩模的方法，包括使权利要求1的光掩模基板形成图案。

14.权利要求13的方法，包括通过作为蚀刻掩模的所述蚀刻掩模膜氟干法蚀刻所述光屏蔽膜。

15.权利要求13的方法，包括通过作为蚀刻掩模的所述蚀刻掩模膜氟干法蚀刻所述透明衬底。

16.根据权利要求13的方法，其中所述光掩模是Levenson掩模。