[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201310245914.X | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN103439843A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 吴明辉;田堃正;龚欣玫;钟仁阳;魏玮君;王辰;廖乾煌;徐文浩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
一第一导体层,配置于一基板上并包括一第一栅极、一第二栅极、一第一扫描线以及一电容电极,该第一栅极连接该第一扫描线而该第一扫描线与该电容电极彼此分离;
一堆叠层,配置于该基板上,该堆叠层包括一半导体层以及一堆叠于该半导体层上的第二导体层,其中,该第二导体层包括一数据线、一第一源极、一第二源极、一第一漏极、一第二漏极、一连接电极以及一耦合电极,该第一源极连接该数据线,该连接电极连接该第二源极且电性连接该第一漏极,该第二漏极连接该耦合电极;
一第三导体层,配置于该基板上并包括一第一像素电极、一第二像素电极,一第一延伸部以及一第二延伸部,其中,该第一像素电极连接该第一漏极,该第二像素电极电性连接于该连接电极,该第一延伸部连接该第一像素电极并与该耦合电极一部份重叠,该第二延伸部连接该电容电极并与该耦合电极另一部份重叠。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第二栅极连接该第一扫描线。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一导体层更包含一第二扫描线,该第二栅极连接该第二扫描线,且该第二扫描线与该第一扫描线以及该电容电极彼此分离。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一导体层更包括一像素连接电极,以将该第二像素电极与该连接电极连通。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该电容电极的形状系为U型。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该电容电极与该第一像素电极部份重叠以及该电容电极与该第二像素电极部份重叠。
7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括一第一绝缘层以及一第二绝缘层,该第一绝缘层配置于该第一导体层与该半导体层之间,而该第二绝缘层配置于该第二导体层与该第三导体层之间。
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