[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法有效

专利信息
申请号: 201310246883.X 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN103353679A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 贾丕健;尹雄宣;郝昭慧 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/136
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括设置有引线的外围电路,其特征在于,包括:

设置于所述外围电路所在层之上的绝缘层,设置于所述绝缘层之上的引线修复层;

所述引线修复层包括至少两条沿所述外围电路的引线排列方向延伸的公共修复线,且相邻的两条所述公共修复线之间设置有若干条与之电连接的修复线。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层上还设置有用于电连接所述公共修复线与公共电极的过孔。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述公共修复线中的至少两条,分别设置于邻近所述外围电路的引线两端的设定区域内。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述修复线的数量与所述外围电路的引线的数量和位置一一对应。

5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述修复线的数量少于所述外围电路的所述引线的数量,相邻两条所述修复线之间包括至少两条外围电路的引线。

6.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述修复线与所述公共修复线垂直;或者,所述修复线与所述外围电路的引线的一部分线段的方向平行。

7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共修复线和所述修复线为金属Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo或ITO。

8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种,或是上述至少两种薄膜的复合结构。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的修复方法,应用于权利要求1-8任一所述的阵列基板,其特征在于,步骤如下:

S21、当所述外围电路的引线发生断裂时,将断裂的所述外围电路的引线从断裂点处断开的两端与所述公共修复线的交叠处进行熔接,形成使所述断裂的外围电路的引线与所述公共修复线电连接的第一熔接点和第二熔接点;

S22、选择一条连接所述第一熔接点至所述第二熔接点距离最短的所述修复线,形成所述第一熔接点至所述第二熔接点的连接线,并将所述连接线与所述公共修复线断开,用所述连接线作为所述断裂的外围电路的引线。

11.如权利要求10所述的一种阵列基板的修复方法,其特征在于,步骤S21中进行熔接的所述公共修复线,为与断裂点处断开的两端距离最近的两条公共修复线。

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