[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

在衬底上形成的背栅，所述背栅沿第一方向延伸；

晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的沿第一方向延伸的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠沿与第一方向相交的第二方向延伸从而分别与鳍背对背栅的侧面相交；以及

在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，

其中，所述背栅沿第一方向的延伸长度与鳍沿第一方向的延伸长度相同，且背栅电浮置，从而充当该存储器件的浮栅。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，背栅介质层的厚度被设置为在晶体管导通时允许载流子注入，从而晶体管中的至少一部分载流子能够注入并因此存储到背栅中。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述载流子注入包括热载流子注入，或者由于Fowler-Nordheim隧穿而导致的载流子注入。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，载流子被捕获并存储于背栅介质层中。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，背栅介质层具有大致均匀的厚度。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，背栅介质层包括氧化物，且其等效氧化物厚度EOT为10-30nm。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，背栅介质层包括高K电介质，且其等效氧化物厚度EOT为10-30nm。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，衬底中包括阱区，其中背栅进入阱区中20-300nm。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，背栅的顶面与各鳍的顶面基本上持平或高于鳍的顶面。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，背栅包括导电材料，且宽度为5-30nm。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，鳍包括Si、Ge、SiGe、GaAs、GaSb、AlAs、InAs、InP、GaN、SiC、InGaAs、InSb、InGaSb，且宽度为3-28nm。

12.根据权利要求1所述的存储器件，还包括在每一鳍位于栅堆叠相对两侧的部分的表面上生长的半导体层。

13.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

在衬底上形成的隔离层，所述隔离层露出鳍的一部分，其中，栅堆叠通过隔离层与衬底电隔离；以及

在所述鳍被隔离层露出的部分下方形成的穿通阻挡部，所述穿通阻挡部的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度。

14.一种制造存储器件的方法，包括：

在衬底中形成沿第一方向延伸的背栅槽；

在背栅槽的底壁和侧壁上形成背栅介质层；

向背栅槽中填充导电材料，形成沿第一方向延伸的背栅；

对衬底进行构图，以形成与背栅介质层邻接且沿第一方向延伸的鳍，所述鳍沿第一方向的长度与背栅沿第一方向的延伸长度相同；以及

在衬底上形成沿与第一方向相交的第二方向延伸从而分别与鳍背对背栅的侧面相交的栅堆叠，

其中，背栅电浮置，从而充当该存储器件的浮栅。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

形成背栅槽包括：

在衬底上形成构图辅助层，该构图辅助层被构图为具有与背栅槽相对应的开口；

在构图辅助层与开口相对的侧壁上形成图案转移层；

以该构图辅助层及图案转移层为掩模，对衬底进行刻蚀，以形成背栅槽，以及

形成鳍包括：

选择性去除构图辅助层；以及

以图案转移层为掩模，对衬底进行刻蚀，以形成鳍。