[发明专利]一种纳米材料转移沉积方法有效

专利信息
申请号: 201310247608.X 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN103290411A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 佘峻聪;黄媛;邓少芝;许宁生 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C23C26/00 分类号: C23C26/00;B05D1/00
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 华辉;张玲春
地址: 510275 广东省广州市海珠区新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 材料 转移 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米材料转移沉积方法,其特征在于其包括以下步骤:

1)加热纳米材料和液体的混合悬浮液;

2)将衬底固定在悬浮液上方;

3)纳米材料被蒸发的溶液分子带离液体,附着到放置于混合悬浮液液面上方的衬底表面,形成由纳米材料层层堆叠的薄膜。

2.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述纳米材料可以是纳米薄片、纳米管、纳米线,或其它纳米结构。

3.如权利要求2所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述纳米薄片为石墨烯、氧化石墨烯、二硫化钼或氮化硼中任一者。

4.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述液体可以是水、乙醇、异丙醇或其它有机、无机溶剂。

5.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:步骤1)中,加热所需温度等于或略低于所述液体的沸点,所述液体为有机溶剂时,加热所需温度为50°C-90°C;所述液体为水时,加热所需温度为80°C-100°C。

6.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述衬底可以是半导体、金属或绝缘体。

7.如权利要求6所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述衬底的表面形貌可以是平整的,也可以是粗糙的,也可以是凹凸型槽状,也可以是上下表面相通的孔洞(通孔)结构。

8.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述衬底表面与液面的夹角范围可以在0-90°间调节。

9.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:步骤3)中,所述由纳米材料层层堆叠形成的薄膜的厚度和表面粗糙度可以通过调整沉积时间来控制;沉积时间范围在5min-5h之间;

所述纳米材料层层堆叠形成的薄膜的厚度和表面粗糙度可以通过调节悬浮液中纳米材料浓度来控制;悬浮液中纳米材料浓度范围在0.1mg/mL-1mg/mL之间;

所述纳米材料层层堆叠形成的薄膜的厚度和表面粗糙度可以通过调节溶液液面与衬底的间距来控制;溶液液面与衬底的间距范围在0.5mm-3mm之间;

所述调节悬浮液的加热温度可以控制悬浮液的蒸发率,从而实现对纳米材料层层堆叠形成的薄膜的厚度和表面粗糙度温度的控制;所述液体为有机溶剂时,所述加热温度范围在50°C-90°C之间;所述液体为水时,所述加热温度范围在80°C-100°C之间。

10.如权利要求1所述的纳米材料转移沉积方法,其特征在于:所述纳米材料可以连续地覆盖在衬底表面、也可形成不连续的微纳米结构点阵。

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