[发明专利]用于半导体封装件的凸块结构

权利要求书

1.一种封装结构，包括：接合至第二衬底的第一衬底，其中，所述第一衬底包括：

金属焊盘，位于所述第一衬底的第一区上方；

有源凸块结构，位于所述金属焊盘上方并且包括第一横向尺寸（W₁）的第一金属柱；

钝化层，位于所述第一衬底的第二区上方；和

伪凸块结构，位于所述第二区中的钝化层上方并且包括第二横向尺寸（W₂）的第二金属柱；

所述第二衬底包括：

第一连接件，具有第三横向尺寸（W₃）；和

第二连接件，具有第四横向尺寸（W₄）；并且

其中，所述第一金属柱焊接至所述第一连接件，所述第二金属柱焊接至所述第二连接件，并且所述W₁大于所述W₂。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述W₃等于所述W₄。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述W₁大于或等于所述W₃。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述W₃大于所述W₂。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述W₃大于所述W₄。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其中，所述W₁等于所述W₃。

7.根据权利要求5所述的封装结构，其中，所述W₂等于所述W₄。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述W₄大于所述W₃。

9.一种封装结构，包括：

第一衬底，具有第一区和第二区，并且包括位于所述第一区中的所述第一衬底上方的金属焊盘、位于所述金属焊盘上方并且电连接至所述金属焊盘的具有第一横向尺寸（W₁）的第一金属柱、位于所述第二区中的所述第一衬底上方的钝化层和位于所述第二区中的所述钝化层上方的具有第二横向尺寸（W₂）的第二金属柱；以及

第二衬底，具有第一面和与所述第一面相对的第二面，并且在所述第一面上包括具有第三尺寸（W₃）的第一连接件和具有第四横向尺寸（W₄）的第二连接件，

其中，所述第一衬底接合至所述第二衬底的所述第一面，在所述第一金属柱和所述第一连接件之间形成第一焊接区，并且在所述第二金属柱和所述第二连接件之间形成第二焊接区；并且

其中，所述横向尺寸W₁、W₂、W₃和W₄满足下式：W₁=W₂，并且W₃＞W₁。

10.一种在半导体衬底的第一区和第二区上形成凸块结构的方法，包括：

在所述半导体衬底的所述第一区上方形成金属焊盘；

在所述金属焊盘和所述第一区和所述第二区中的所述半导体衬底上方形成钝化层；

图案化所述钝化层以暴露所述金属焊盘的一部分；

在所述钝化层和所述金属焊盘的暴露部分上形成凸块下金属（UBM）层；

在所述金属焊盘的所述暴露部分上方的所述UBM层上形成第一金属柱；以及

在所述第二区中的所述钝化层上方的所述UBM层上形成第二金属柱；

其中，所述第一金属柱的横向尺寸大于所述第二金属柱的横向尺寸。