[发明专利]一种垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201310248779.4 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN104241458A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王嘉星 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可变 氮化 led 外延 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，该方法包括：
在生长衬底上外延生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上外延生长多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层上外延生长P型GaN层；
其特征在于所述多量子阱有源层由n层InXGa1-XN/GaN多量子阱组成，其中n为整数，取值范围为2-20，其中每个量子阱的垒宽是不同的。
2.根据权利要求1所述的垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，其特征在于所述生长衬底包括但不限于下列衬底：蓝宝石、碳化硅、氮化镓、单晶硅。
3.根据权利要求1所述的垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，其特征在于所述生长衬底的尺寸包括但不限于下列尺寸：2英寸、4英寸、8英寸。
4.根据权利要求1所述的垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，其特征在于所述垒宽由下而上逐层递减。
5.根据权利要求1所述的垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，其特征在于所述垒宽由下而上逐层递增。
6.根据权利要求1所述的垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，其特征在于所述垒宽在5-30nm之间。
7.根据权利要求1所述的垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，其特征在于所述多量子阱的生长温度在650-900℃之间，压力在100-1000mbar之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300-5000之间。
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