[发明专利]电热冷却器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体模块，包括：

引线框，其具有第一侧和相对的第二侧；

半导体芯片，其被布置在所述引线框的第一侧上方；以及

开关元件，其被布置在所述引线框的第二侧下方，

密封剂， 其中所述引线框和所述半导体芯片被布置在所述密封剂内，并且所述开关元件的至少与所述引线框相对的一侧不被所述密封剂所覆盖，

其中所述开关元件具有面对所述引线框的第一表面以及用于安装热沉的相对的第二表面，其中所述开关元件被配置为当所述半导体芯片处于接通状态时将所述半导体芯片与所述热沉电耦合并且当所述半导体芯片处于关断状态时将所述半导体芯片与所述热沉电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体芯片包括通过所述引线框的引线耦合到外部电位节点的接触区域。

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体芯片包括通过所述开关元件耦合到外部电位节点的接触区域。

4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述开关元件包括二极管。

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其中，所述二极管包括半导体二极管。

6.根据权利要求5所述的半导体模块，其中，所述半导体二极管包括硅。

7.根据权利要求4所述的半导体模块，其中，所述二极管包括碳基半导体。

8.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述引线框包括所述半导体芯片被布置在其上方的管芯叶片，其中所述管芯叶片具有第一覆盖区并且所述开关元件具有第二覆盖区，其中第一覆盖区与第二覆盖区大约相同。

9.根据权利要求1所述的半导体模块，还包括布置在所述开关元件下方的热沉。

10.根据权利要求9所述的半导体模块，其中，所述开关元件被布置在所述热沉内。

11.根据权利要求10所述的半导体模块，其中，所述半导体芯片包括源极/发射极区域和漏极/集电极区域，其中所述漏极/集电极区域被电耦合到所述开关元件的第一端子，以及其中所述开关元件的第二端子被电耦合到所述热沉。

12.一种半导体模块，包括：

第一分立半导体器件，其包括第一引线和第二引线；以及

具有第一端子和第二端子的第一开关元件，第一开关元件的第一端子被电耦合并且热耦合到第一分立半导体器件，第一开关元件被配置成传导热离开第一分立半导体器件，

密封剂， 其中所述第一分立半导体器件被布置在所述密封剂内，并且所述开关元件的至少一侧不被所述密封剂所覆盖，

其中所述第一开关元件被配置为当所述第一分立半导体器件处于关断状态时将所述第一分立半导体器件与布置在所述第一开关元件以下的热沉电隔离，其中所述第一开关元件被配置为当所述第一分立半导体器件处于接通状态时将所述第一分立半导体器件与所述热沉电耦合。

13.根据权利要求12所述的半导体模块，其中，第一引线是源极/发射极引线，以及其中第二引线是漏极/集电极引线。

14.根据权利要求12所述的半导体模块，其中，第一开关元件包括分立二极管。

15.根据权利要求12所述的半导体模块，还包括第二分立半导体器件，其包括第三引线和第四引线，第二引线和第四引线被耦合到第一电位节点，其中第二引线通过第一开关元件被耦合到第一电位节点。

16.根据权利要求15所述的半导体模块，其中，第一引线是第一源极/发射极引线，其中第二引线是第一漏极/集电极引线，其中第三引线是第二源极/发射极引线，以及其中第四引线是第二漏极/集电极引线。

17.根据权利要求15所述的半导体模块，还包括具有第一端子和第二端子的第二开关元件，第二开关元件的第一端子被耦合到第四引线。

18.根据权利要求15所述的半导体模块，其中，第一分立半导体器件包括分立绝缘栅双极型晶体管，以及其中第二分立半导体器件还包括分立绝缘栅双极型晶体管。

19.根据权利要求15所述的半导体模块，其中，第一分立半导体器件包括分立金属绝缘体场效应晶体管，以及其中第二分立半导体器件还包括分立金属绝缘体场效应晶体管。