[发明专利]可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：它包括衬底（20）及位于衬底（20）上的N外延层（21）；

N外延层（21）中设有柱形沟槽，柱形沟槽内部生长栅氧化层（26），柱形沟槽的两侧设有由多晶硅淀积形成的柱形栅电极（25），淀积多晶硅在器件结构的表面上，并填充柱形沟槽内部至整个表面，柱形栅电极（25）通过栅氧化层（26）与N外延层（21）相互电隔离；

栅氧化层（26）之间设有体区（22），体区（22）的上方设有源区（24），源区（24）之间设有欧姆接触区（23），芯片表面设有淀积的隔离氧化层，隔离氧化层上与柱形栅电极（25）相对应的位置刻蚀有柱形栅极接触孔（28），与欧姆接触区（23）相对应的位置刻蚀有源极接触孔（27）。

2.根据权利要求1所述的可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：所述的多晶硅掺有磷的N型杂质。

3.根据权利要求1所述的可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：所述的体区（22）注入为硼的P型杂质。

4.根据权利要求1所述的可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：所述的源区（24）注入为砷的N型杂质。

5.根据权利要求1所述的可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：所述的隔离氧化层为硼磷硅玻璃。

6.根据权利要求1所述的可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：所述的欧姆接触区（23）注入为二氟化硼的P型杂质。

7.可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：提供衬底（20），在衬底（20）上生长N外延层（21）；

S2：在N外延层（21）中挖出深入N漂移区的柱形沟槽；

S3：在柱形沟槽内部生长栅氧化层（26）；

S4：淀积多晶硅作为柱形栅电极（25），淀积多晶硅在器件结构的表面上，并填充柱形沟槽内部至整个表面；同时，多晶硅被回蚀到柱形沟槽内，并在表面凹下去0.05～0.15um；

S5：利用光掩膜遮挡注入形成器件的体区（22），再注入形成器件的源区（24）；

S6：在芯片表面淀积隔离氧化层，然后在隔离氧化层上刻蚀柱形栅极接触孔（28）和源极接触孔（27）；

S7：注入欧姆接触区（23）；

S8：在结构的上表面淀积铝硅铜合金，作为整个器件的栅极和源极接触金属。

8.根据权利要求7所述的可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于：它还包括一个减薄衬底（20）厚度的步骤，衬底（20）的厚度为200 um。