[发明专利]生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法

权利要求书

1.一种生产热电转换材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（A）将质量分数55%-60%的铋、20%-30%的硒和10%-20%的碲混合，组成原料；

（B）对原料进行真空熔炼处理，得到半导体热电转换材料BiSeTe金属化合物。

2.根据权利要求1所述的生产热电转换材料的方法，其特征在于，所述（B）步骤具体包括如下步骤：

（B1）将所述原料置于坩埚中，并将所述坩埚放入真空装置中，将所述真空装置抽真空，真空度为1×10^-1Pa-1×10^-3Pa；

（B2）将所述坩埚按一定的加热速度加热至预定温度，使原料反应结束；所述预定温度为600℃-640℃；

（B3）在真空度为1×10^-1Pa-1×10^-3Pa的真空条件下自然降温至降温温度，所述降温温度为40℃-60℃，得到半导体热电转换材料BiSeTe金属化合物。

3.根据权利要求2所述的生产热电转换材料的方法，其特征在于，所述步骤（B2）具体包括如下步骤：

（B21）按所述加热速度为80℃/小时-120℃/小时，将所述坩埚加热至预定温度；

（B22）在所述预定温度下，保持170分钟-190分钟，使原料反应结束。

4.根据权利要求2所述的生产热电转换材料的方法，其特征在于，所述步骤（B2）中，所述预定温度为620℃-640℃。

5.根据权利要求2所述的生产热电转换材料的方法，其特征在于，所述步骤（B3）中，所述降温温度为40℃-50℃。

6.一种用于生产权利要求1-5任一所述的热电转换材料的装置，其特征在于，包括，工业电炉、坩埚、坩埚盖和能够装所述坩埚的金属真空容器；所述坩埚盖上设置有通气孔，所述坩埚盖盖在所述坩埚上，所述金属真空容器设置有抽气真空阀，所述金属真空容器置于所述工业电炉中。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述工业电炉为井式电阻炉或者真空感应炉。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述坩埚盖的材质为二氧化硅其纯度为99.99%；

和/或，所述坩埚的材质为二氧化硅，其纯度为99.99%。

9.一种用权利要求1-5任一所述的方法生产的热电转换材料生产溅射靶材的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（Ⅰ）将BiSeTe金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的BiSeTe金属化合物粉末；

（Ⅱ）将干燥的BiSeTe金属化合物粉末进行热压烧结处理，得到铋硒碲溅射靶材。

10.根据权利要求9所述生产溅射靶材的方法，其特征在于，还包括如下步骤：

（Ⅲ）将得到的铋硒碲溅射靶材进行磨床加工，加工成与溅射背板相配合的铋硒碲溅射靶材。