[发明专利]一种盐碱地植物种植系统有效
| 申请号： | 201310250577.3 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103430788A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 秦升益;刘春雨 | 申请（专利权）人： | 北京仁创科技集团有限公司 |
| 主分类号： | A01G9/02 | 分类号： | A01G9/02;A01B79/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 盐碱地 植物 种植 系统 | ||
1.一种盐碱地植物种植系统，包括设置在盐碱地中的种植沟（6），所述种植沟（6）的内部由下向上填充有透气防渗层（1）和种植土层（5），其特征在于，
所述种植沟（6）的侧壁（7）为防水侧壁；
所述种植沟内沿其长度方向间隔设置有若干集水井（9），所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井（9）的底部位于所述种植土层（5）内。
2.根据权利要求1所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述透气防渗层（1）和植物种植土层（5）间还设置有防护层（4）。
3.根据权利要求2所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述透气防渗层（1）和所述防护层（4）之间还设置有找平层（3）。
4.根据权利要求1-3任一所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述种植土层（5）的至少部分底面与水平面形成一夹角。
5.根据权利要求4所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述种植土层（5）的至少部分底面沿所述种植沟（6）的宽度方向倾斜设置，并与水平面形成一夹角。
6.根据权利要求5所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述种植沟（6）内所述种植土层（5）在其宽度方向上地势低的一端设置有所述集水井（9）。
7.根据权利要求4所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述种植土层（5）的至少部分底面沿所述种植沟（6）的长度方向倾斜设置，并与水平面形成一夹角。
8.根据权利要求2-7任一所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，
所述种植沟（6）的底面、所述透气防渗层（1）、找平层（3）和/或防护层（4）平行于所述种植土层（5）的底面。
9.根据权利要求2-8任一所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述防护层（4）为透水砖层。
10.根据权利要求3-9任一所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述找平层（3）为细土和/或沙子层。
11.根据权利要求10所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，
所述透气防渗层（1）为透气防渗沙层。
12.根据权利要求11所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述种植土层（5）为客土层或盐碱土层。
13.根据权利要求1-12任一所述的盐碱地植物种植系统，其特征在于，所述种植土层（5）的上表面不低于所述盐碱地的地表面（10）。
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