[发明专利]磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法

权利要求书

1.电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及制备方法，其特征在于其组成成分及各成分的重量百分含量为：Fe3～6%，Si7～16%，B2～15%，Ni2%，Nb1%，Ga0.5～2%，稀土金属300ppm～0.2%，余量为Co。

2.根据权利要求1所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料，其特征在于所述的稀土金属为镧、铱、铈中的至少一种。

3.一种如权利要求1或2所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）取配方量的Fe、B、Ni、Nb，及部分Co在真空非自耗电弧炉中惰性气体保护下于1300～1450℃熔炼，然后倒入水冷锭模中，冷却得到中间合金；

（2）将制得的中间合金及剩余部分Co，和配方量的Si、Ga和稀土金属在真空熔炼炉中惰性气体保护下于1400～1550℃熔炼，合金温度降至1150℃然后倒入水冷锭模中，冷却得到母合金铸锭；

（3）将炼好的母合金铸锭装入石英坩埚内，在惰性气体的保护下，感应加热重熔，当达到甩带温度1120～1250℃温度后，快速将石英坩埚由加热位置下降到喷带位置，并使喷嘴口与铜辊保持0.2～0.28mm间隙，然后，立即用0.03～0.06MPa气压的惰性气体将熔融合金通过喷嘴喷铸在高速旋转的铜辊面上急冷，而得到非晶合金薄带，即该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料。

4.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于其还包括将制备得到的该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料经无磁场的电阻炉中加倾斜磁场进行退火步骤。

5.根据权利要求4所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的退火步骤条件为：温度320～400℃，时间20～40min，磁场方向为合金条带长度方向倾斜30度，磁场强度15～40kA/m。

6.根据权利要求5所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于经退火处理后的该电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的综合性能为：饱和磁感应强度Bs为0.71T，矫顽力Hc为1.12A/m，初始磁导率达到94800Gs/Oe，最大磁导率达320000Gs/Oe。

7.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的惰性气体为氩气。

8.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的步骤（1）、（2）中的熔炼时间为20～30min。

9.根据权利要求3所述的电磁磁电效应式传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的制备方法，其特征在于所述的步骤（3）中的加热重熔时间为15min，甩带温度1120～1250℃。