[发明专利]一种靶材的刻蚀量测装置及量测方法

说明书

技术领域

本发明属于PVD工艺技术领域，尤其涉及一种靶材的刻蚀量测装置及量测方法。

背景技术

在TFT(Thin film transistor)及液晶显示器制造技术领域中，许多PVD(Physical Vapor Deposition)设备采用磁控溅射来增加靶材效率。设于靶材的下面的磁石可以提高靶材的利用率，但同时磁石的移动会形成刻蚀曲线。当靶材的刻蚀深度(Erosion Depth)到达一定程度便无法使用。

因此，需要量测已用靶材的刻蚀深度，并调整磁石的移动和磁力线的分布，使刻蚀曲线均匀分布，以提高靶材利用率。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种靶材的刻蚀量测装置，其能够量测靶材的刻蚀深度。

本发明通过如下技术方案实现：一种靶材的刻蚀量测装置，其中，所述靶材的刻蚀量测装置包括导轨、定位部件及刻蚀深度量测部件，所述刻蚀深度量测部件以与所述导轨相对移动的方式设置在所述导轨上，所述定位部件设置在所述导轨的两侧以支撑所述导轨。

作为上述技术方案的进一步改进，所述刻蚀深度量测部件包括用于量测靶材的刻蚀深度的深度计。

作为上述技术方案的进一步改进，所述定位部件包括磁性件。

作为上述技术方案的进一步改进，所述磁性件包括磁石或电磁铁。

作为上述技术方案的进一步改进，所述靶材的刻蚀量测装置还包括连接在所述定位部件与所述导轨之间及连接在所述刻蚀深度量测部件与所述导轨之间的连接件。

作为上述技术方案的进一步改进，所述导轨的底侧设有沿所述导轨的长度方向延伸的滑槽。

作为上述技术方案的进一步改进，所述滑槽具有滑动容纳部及夹持部，所述连接件的上部设有与所述滑动容纳部匹配的凸缘，所述夹持部位于所述滑动容纳部的下方并用于保持所述凸缘。

作为上述技术方案的进一步改进，所述连接件的上部设有具有向上运动趋势的弹性件，所述滑槽沿所述导轨的长度方向均匀布置有多个定位孔，所述弹性件与所述多个定位孔相适配。

作为上述技术方案的进一步改进，所述弹性件为弹簧定位销。

根据本发明的另一方面，提供了一种靶材的刻蚀量测方法，其中，所述靶材的刻蚀量测方法包括以下步骤：

定位步骤，通过定位部件将刻蚀深度量测部件定位在靶材的正上方，

导轨长度方向量测步骤，沿导轨长度方向移动刻蚀深度量测部件，对靶材的刻蚀深度进行量测。

本发明的有益效果是：本发明的靶材的刻蚀量测装置包括导轨、定位部件及刻蚀深度量测部件，所述刻蚀深度量测部件以与所述导轨相对移动的方式设置在所述导轨上，所述定位部件设置在所述导轨的两侧以支撑所述导轨，由此，通过定位部件将导轨固定在靶材的表面上方，并移动刻蚀深度量测部件以量测靶材的表面任意处的刻蚀深度。基于刻蚀深度量测部件的量测数据，对磁石进行调节以提高靶材的刻蚀深度的均匀度，从而提高靶材利用率。

附图说明

图1是用于说明靶材的刻蚀深度的情形的图。

图2是根据本发明的一个具体实施例的靶材的刻蚀量测装置的概略正面图。

图3是图2的靶材的刻蚀量测装置的俯视图。

图4是图2的靶材的刻蚀量测装置的导轨的仰视图。

图5是图4的导轨的A-A截面图。

图6是图4的导轨的正面图。

图7是图2的靶材的刻蚀量测装置的连接件的侧视图。

图8是图2的靶材的刻蚀量测装置的深度计的侧视图。

图9是图2的靶材的刻蚀量测装置的支撑杆的侧视图。

图10是用于说明根据本发明的一个具体实施例的靶材的刻蚀量测方法的流程的图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行进一步的说明。

如图1所示，靶材的蚀刻处102的刻蚀深度h并不是均匀分布的。靶材的蚀刻处102的刻蚀深度h与PVD设备机台内的磁石移动、气流等紧密相关。不同工厂、不同时期的PVD设备机台之间也会有差别。一旦靶材的刻蚀深度h接近靶材厚度d值，靶材就只能下机，送回靶材厂商重新制作后送回。因此，需要一种可以在PVD设备机台保养时直接在PVD设备机台上量测靶材的刻蚀深度的装置，以得到及时、准确的实测值，进而对磁石进行调节以提高靶材的刻蚀深度的均匀度，从而提高靶材利用率，这在实际生产中有着重大意义。