[发明专利]用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的构件(300)的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有前侧(101)和与所述前侧相对置的背侧(102)的半导体衬底(100)，

在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生环形地包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121)，

在所述绝缘沟槽(121)中施加绝缘材料(122)，

通过在所述接触区域(103)中沉积导电材料在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生电接触结构(130)，

去除所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上的留在所述接触区域(103)中的半导体材料(104)，以便产生暴露所述接触结构(130)的下侧(134)的接触孔(111)，

在所述接触孔(111)中沉积金属材料(114)，以便将所述电接触结构(130)与所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)电连接，

其中，在键合工艺范畴内在所述接触孔(111)中沉积所述金属材料之前将所述电接触结构与功能衬底(210)的互补接触结构(230)连接，在所述键合工艺中将所述半导体衬底(100)与功能衬底(210)连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述绝缘沟槽(121)构造为盲孔，其中，在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生所述电接触结构(130)之后从所述背侧(102)减薄所述半导体衬底(100)并且在此暴露所述绝缘材料(122)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在减薄所述半导体衬底(100)之后，在所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上产生绝缘层(140)，其中，借助各向同性的蚀刻方法相对于所述绝缘层(140)和所述绝缘沟槽(121)中的所述绝缘材料(122)选择性地去除留在所述接触区域(103)中的绝缘材料(104)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上产生绝缘层(141)，以及从所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)去除所述半导体材料直至所述绝缘层(141)以产生所述绝缘沟槽(121)，其中，在所述接触区域中打开所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上的所述绝缘层(141)，其中，通过蚀刻留在所述接触区域(103)中的半导体材料(104)相对于所述绝缘层(141)和所述绝缘沟槽(121)中的所述绝缘材料(122)选择性地产生所述接触孔(111)。

5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，借助冲压方法在所述绝缘沟槽(121)中施加玻璃用作绝缘材料(122)。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，为了在所述绝缘沟槽(121)中施加所述绝缘材料(122)，使用氧化物沉积和多晶硅沉积的组合。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，与在所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上制造再布线(150)一起进行所述金属材料(114)在所述接触孔(111)中的沉积。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，为了以所述金属材料(114)填充所述接触孔(111)，使用低温沉积方法结合势垒层和/或籽晶层(115，116)。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述半导体衬底(100)与所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上的所述功能衬底(210)连接之前，产生用于容纳设置在所述功能衬底(210)上的功能结构(221)的空穴(105)。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述玻璃是硼硅玻璃。