[发明专利]有源矩阵有机电致发光显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵有机电致发光显示器件，属于有光电器件技术领域。

背景技术

有机电致发光显示是继阴极射线管、液晶显示之后的显示技术。有机电致发光显示通过正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发光，具有全固态、自发光、宽视角、高清晰、高亮度、高对比度、高响应速度、超薄、低成本、低功耗、耐低温、抗震、可实现柔性显示和双面显示等优点。根据驱动方式的不同，有机电致发光显示可以分为无源矩阵有机电致发光显示(PassiveMatrix OrganicLightEmittingDisplay，PMOLED)和有源矩阵有机电致发光显示(Active MatrixOrganicLightEmittingDisplay,AMOLED)两大类。无源矩阵有机电致发光显示以透明导电金属氧化物背板作为基板，以扫瞄方式驱动，由于瞬间注入大量电流使耗电量较大，导致组件容易老化而缩短寿命，同时无法实现大面积显示；有源矩阵有机电致发光显示采用了薄膜晶体管背板作为基板，以电容储存讯号，独立驱动每一个像素点，达到连续发光的表现，因此驱动电压低，耗电量小，组件的寿命长，同时容易实现大面积显示。

由于有源矩阵有机电致发光显示采用了薄膜晶体管背板作为基板，如果采用从基板一侧输出光结构（即底发射器件结构），薄膜晶体管会降低器件的开口率，从而限制了器件的分辨率和出光效率。因此有源矩阵有机电致发光显示普遍采用从顶部电极一侧出光的结构（即顶发射器件结构）。顶发射器件结构要求底部电极具有高的反射率。目前常用的底部电极材料主要有两种：一种底部电极为Ag等高反射率金属薄膜作为底部电极，但是金属薄膜的附着力和稳定性较差，成本较高，同时无法与有机层形成良好的接触；另一种为金属氧化物/金属/金属氧化物复合电极，如MoO₃/Ag/MoO₃，但是这种电极导电率和反射率均较低，从而限制了器件的性能。

氧化铟锡(ITO)导电薄膜是一种良好的底部阳极电极材料，具有较高的稳定性，同时其电导率可接近于金属材料，但是ITO在可见光范围内具有很高的透过率，而反射率非常低，所以ITO不能直接应用于有源矩阵有机电致发光显示器件。

发明内容

为解决现有技术中有源矩阵有机电致发光显示器件的底部电极层无法兼具高导电率和高反射率，与有机发光单元接触性差，导致显示器件性能差、寿命短的问题，本发明提供一种有源矩阵有机电致发光显示器件。

本发明的有源矩阵有机电致发光显示器件，从下至上依次为薄膜晶体管衬底、底部电极层、有机发光单元、顶部电极层和光耦合输出层，所述薄膜晶体管衬底和底部电极层之间还包括由不同折射率的介质材料交替排列而成一维光子晶体结构，所述底部电极层的材料为氧化铟锡。

优选的是，所述的薄膜晶体管衬底的材料为多晶硅、非晶硅、微晶硅、氧化物或有机物。

优选的是，所述的一维光子晶体结构的层数为2-30。

优选的是，所述的介质材料为银(Ag)、二氧化硅(SiO₂)、三氧化钼(MoO₃)或氟化锂(LiF)。

优选的是，所述的有机发光单元为单层或多层结构，每层的材料为氟化锂(LiF)、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、MoO₃或三(2-苯基吡啶)合铱((Ir(ppy)₃)掺杂4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)。

优选的是，所述的顶部电极层为单层或多层结构，每层的材料为铝、钙或镁银合金。

优选的是，所述的光耦合输出层的材料为MoO₃或8-羟基喹啉铝(Alq₃)。

优选的是，所述的底部电极层是采用物理气相沉积或化学气相沉积方法制备的，厚度为20-300nm，顶部电极层是采用物理气相沉积或化学气相沉积方法制备的，厚度为10-300nm。

优选的是，所述的一维光子晶体结构是采用自组装、喷墨打印、物理气相沉积或化学气相沉积方法制备的，厚度为50-5000nm。

优选的是，所述的有机发光单元是采用真空热沉积或湿法工艺制备的，厚度为50-500nm，所述的光耦合输出层是采用真空热沉积或湿法工艺制备的，厚度为10-200nm。

本发明的有益效果是：