[发明专利]高导热导电石墨烯薄膜及其制备工艺

权利要求书

1.一种高导热导电石墨烯薄膜，其特征在于，所述高导热导电石墨烯薄膜为采用石墨烯和纳米金刚石改性制备的厚度为0.5-500μm为的薄膜，所述石墨烯与纳米金刚石的重量比为1-10:1。

2.根据权利要求1所述的高导热导电石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯与纳米金刚石的重量比为1-5:1。

3.根据权利要求1所述的高导热导电石墨烯薄膜，其特征在于，所述高导热导电石墨烯薄膜的厚度为0.5-100μm。 

4.根据权利要求1所述的高导热导电石墨烯薄膜，其特征在于，所述纳米金刚石的粒径为20-200nm。

5.根据权利要求1所述的高导热导电石墨烯薄膜，其特征在于，所述高导热导电石墨烯薄膜采用粘结剂制备而成，所述粘合剂包括以下重量百分比的各组分：三聚氰胺树脂20-50%、双酚A型环氧乙烯基酯树脂20-50%和聚吡咯20-50%。

6.一种根据权利要求1-5所述高导热导电石墨烯薄膜的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）将石墨烯与纳米金刚石用硝酸钾配成重量百分比5-20%的分散液，并加入占分散液重量百分比为1-5%的表面活性剂，超声分散10-30min，待用；

2）将步骤1）超声分散后的分散液加入到由重量百分比分别为双酚A环氧乙烯基树脂30-50%、双酚A型环氧乙烯基酯树脂30-50%和聚吡咯30-50%组成的粘合剂中，在80-120℃下搅拌均匀，待用；

3）将步骤2）的混合液在基板上涂覆，紫外固化成膜，得高导热导电石墨烯薄膜。

7.根据权利要求6所述高导热导电石墨烯薄膜的制备工艺，其特征在于，所述步骤3）的基板为阳极氧化铝基板。

8.根据权利要求7所述高导热导电石墨烯薄膜的制备工艺，其特征在于，其特征在于，所述阳极氧化铝基板的制备包括以下步骤：取高纯铝板，首先将其在丙酮混合溶液中超声清洗15-30min，接着抛光，使Ra ≤0.01μm；一次镀膜，并去除阳极氧化铝薄膜；二次镀膜并在质量百分比为3-6%的磷酸溶液中扩孔10-20min。

9.根据权利要求8所述高导热导电石墨烯薄膜的制备工艺，其特征在于，所述阳极氧化铝基板表面孔的内径为20-60nm，孔的间距为40-60nm，孔的深度为2±0.5μm。

10.一种根据权利要求1所述高导热导电石墨烯薄膜的制备工艺，其特征在于，所述高导热导电石墨烯薄膜的制备步骤为：

1）将石墨烯和纳米金刚石分别置于水中，超声分散0.5-3h，分别配制成质量分数为5-20%的分散液；

2）将步骤1）的两种分散液混合，然后加入占石墨烯和纳米金刚石总质量的1/5-1/4的乙烯基酯树脂或环氧树脂，在80-150℃搅拌均匀，采用溶液浇铸法并经热压成膜；

3）将上述薄膜放入高温真空炉中，在保护气氛下300-1000℃下进行热处理10-30min，得到高导热导电石墨烯薄膜。