[发明专利]加工方法以及加工装置

说明书

本发明提供一种加工方法以及加工装置，能够容易地控制进行加工的区域。一种对被加工物实施蚀刻加工的加工装置，一边向收纳了保持在保持工作台的保持面的被加工物的蚀刻室内供给蚀刻气体，一边将聚光点定位到被加工物中的加工区域的内部来从保持工作台的保持面的相反侧照射相对于保持工作台和被加工物具有透射性的波长的激光光线，由此激励加工区域从而引发蚀刻。

技术领域

本发明涉及对被加工物实施蚀刻加工的加工方法以及加工装置。

背景技术

在半导体器件制造过程中，通过排列为格子状的称为间隔道的分割预定线在大致圆板状的半导体晶片的表面划分出多个区域，在该划分的区域形成IC（集成电路）、LSI（大规模集成电路）等器件。并且，通过沿着间隔道切断半导体晶片来分割形成有器件的区域从而制造出一个个器件。另外，在蓝宝石基板或碳化硅基板的表面层叠有氮化镓化合物半导体等的光器件晶片也通过沿着间隔道切断，而被分割为一个个发光二极管、激光二极管等光器件，被广泛地利用于电气设备。

通常，利用称为划片机的切削装置来进行上述的晶片的沿着间隔道的切断。该切削装置具有：卡盘工作台，其用于保持半导体晶片或光器件晶片等被加工物；切削构件，其用于切削保持在该卡盘工作台的被加工物；以及切削进给构件，其用于使卡盘工作台和切削构件相对移动。切削构件包括主轴单元，主轴单元具备：旋转主轴、安装在该主轴的切削刀具、以及旋转驱动旋转主轴的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基座和安装在该基座的侧面外周部的环状切削刃构成，切削刃形成为例如通过电铸将粒径3μm左右的金刚石磨粒固定在基座且厚度30μm左右。当利用这样的切削刀具沿着间隔道来切断晶片从而分割为一个个器件时，存在这样的问题：在器件的表面以及背面产生缺口从而使器件的抗弯强度降低。

另外，作为沿着间隔道来分割晶片的方法，提出了这样的方法：沿着形成于晶片的间隔道照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线，由此形成激光加工槽，沿着该激光加工槽通过机械破碎装置来进行分割（例如，参照专利文献1）。

但是，沿着晶片的间隔道照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线时，产生了这样的新问题：在照射的区域热能量集中而产生碎屑，该碎屑附着于器件的表面而使器件的品质下降。

另外，作为沿着间隔道来分割晶片的方法，尝试了这样的激光加工方法：使用相对于晶片具有透射性的脉冲激光光线，将聚光点对准到应该分割的区域的内部来照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是这样的方法：将聚光点从晶片的一侧对准到内部，沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着间隔道连续地形成改性层，沿着由于形成有该改性层而强度降低的间隔道来施加外力，由此将晶片分割为一个个器件（例如，参照专利文献2）。

但是，存在以下问题：由于在利用记载于上述专利文献2的分割方法来分割出的一个个器件的侧面残存有改性层，所以使器件的抗弯强度下降从而使器件的品质降低。

为了解决这样的问题，提出了以下技术：通过向被激光光线照射的被加工部供给用于使被加工物的熔融物质蒸发的溶液，使由于激光光线照射而飞散的熔融物质蒸发（例如，参照专利文献3）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本专利第3408805号公报

专利文献3：日本特开2004-247426号公报

发明内容

然而，在上述专利文献3所公开的技术中存在以下问题：很难控制供给用于使飞散的熔融物质蒸发的溶液的区域，会使器件的品质下降。

本发明是鉴于上述事实而做出的发明，其主要技术课题在于提供能够容易地控制进行加工的区域的加工方法以及加工装置。