[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及有源矩阵有机发光显示器，具体而言，涉及薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）组件及薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode：AMOLED)作为新一代的显示器技术，具有自发光、广视角、对比度高、低耗电、高响应速度、高分辨率、全彩色、薄型化等优点。AMOLED有望成为未来主流的显示器技术之一。

在AMOLED的薄膜晶体管（TFT）阵列组件部分，一般采用低温多晶硅（LTPS：Low Temperature Poly Silicon)工艺。薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的阵列组件的质量亦将决定AMOLED的最终显示质量。

用于AMOLED或其它电子组件的薄膜晶体管通常具有轻掺杂漏极区（LDD）。轻掺杂漏极区（LDD）可减小短通道效应(Short Channel Effect)与热载流子效应(HotCarrier Effect)。而且，可以使组件在较高电压操作下，不会产生组件失效崩溃与大的泄漏电流现象。然而，在例如高分辨率显示器组件中，随着TFT的尺寸降低，仍需进一步避免泄漏电流的影响。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请公开一种薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）组件及其制造方法，可以进一步降低Ioff（关断电流）。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，一种薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括源区、漏区、沟道区、与所述沟道区相邻的第一轻掺杂漏极区、与所述第一轻掺杂漏极区相邻的第二轻掺杂漏极区，其中，所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。

薄膜晶体管还可包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层，所述半导体层位于所述缓冲层上；覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层；位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚，所述第二栅绝缘层底脚的宽度小于所述第一栅绝缘层的宽度；位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极。

第一栅绝缘层可为氧化硅层。

第二栅绝缘层底脚可包括氮化硅。

半导体层可包括低温多晶硅。

栅电极可由选自钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬和铜构成的组中的至少一种材料形成。

第二栅绝缘层底脚的边缘可具有一突出部，使得所述边缘的厚度大于所述第二栅绝缘层底脚的其余部分的厚度。

栅电极的宽度可小于所述第二栅绝缘层底脚的宽度。

根据本公开的另一方面，一种制造薄膜晶体管的方法包括：形成一结构，所述结构包括衬底、位于所述衬底上的半导体层、覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层、位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚及位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极，其中所述第二栅绝缘层底脚的边缘具有一突出部，使得第二栅绝缘层底脚的边缘的厚度大于其余部分的厚度；使用所述栅电极和所述第二栅绝缘层作为掩模，注入杂质离子到所述半导体层中，从而形成源区、漏区、与所述源区/漏区相邻的第二轻掺杂漏极区和与所述第二轻掺杂漏极区相邻的第一轻掺杂漏极区，其中所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。

第二栅绝缘层底脚可通过如下步骤形成：形成覆盖所述第一栅绝缘层的第一光致抗蚀剂层并构图，从而形成第一光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案包括暴露所述半导体层的中间部分的开口；在所述第一光致抗蚀剂图案上形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层覆盖所述第一光致抗蚀剂图案的上表面和位于所述开口中的侧壁表面以及所述半导体层的暴露表面；在所述第二栅绝缘层上沉积栅极金属层，所述栅极金属层未完全填充所述开口；在所述栅金属层涂布并烘烤第二光致抗蚀剂层；去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，从而在所述开口中留下第二光致抗蚀剂图案，所述第二光致抗蚀剂图案的顶表面低于所述栅极金属层的顶表面；利用所述第二光致抗蚀剂图案做为掩模，通过湿法蚀刻选择性去除所述栅极金属层的一部分而形成栅极金属图案；利用所述第二光致抗蚀剂图案和所述栅极金属图案做为掩模，通过湿法蚀刻选择性去除所述第二栅绝缘层的一部分而形成所述第二栅绝缘层底脚。