[发明专利]铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法

权利要求书

1.一种铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，包括退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：

步骤S1：使硅锭的顶部降温，且使所述硅锭的底部的温度保持不变；

步骤S2：使所述硅锭的顶部和所述硅锭的底部同时降温；

步骤S4：将所述硅锭的热应力释放。

2.根据权利要求1所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S2和所述步骤S4之间还包括步骤S3：使所述硅锭的底部的温度不变，并使所述硅锭的顶部温度比所述硅锭的底部高出50℃至150℃。

3.根据权利要求2所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，需设定降温时间为t1，调节硅锭炉内加热器的功率为G1并使散热窗处于第一开度；

在所述步骤S2中，需设定降温时间t2，调节所述加热器功率为G2并使所述散热窗处于第二开度；

在所述步骤S3中，需设定降温时间t3，关闭所述加热器，使所述散热窗处于第三开度；在所述步骤S4中，需设定降温时间t4，关闭所述散热窗。

4.根据权利要求3所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，所述时间t1在10min至30min的范围内。

5.根据权利要求4所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述功率G1在10kw至20kw的范围内。

6.根据权利要求4或5所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一开度在所述散热窗的总开度的1/2至2/3的范围内，且所述散热窗在所述时间t1内匀速关闭至所述第一开度。

7.根据权利要求3所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述时间t2在30min至100min的范围内。

8.根据权利要求7所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述功率G2在5kw至10kw的范围内。

9.根据权利要求7或8所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述第二开度在所述散热窗的总开度的1/4至1/2的范围内，且所述散热窗在所述时间t2内匀速关闭至所述第二开度。

10.根据权利要求3所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述时间t3在30min至4h的范围内。

11.根据权利要求10所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述第三开度在所述散热窗的总开度的1/8至1/4的范围内，所述散热窗在所述时间t3内匀速关闭至所述第三开度。

12.根据权利要求3所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述时间t4在1h至2h的范围内。

13.根据权利要求1所述的铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述硅锭的最低温度为800℃。