[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件制造方法，包含：

提供一基板，该基板包含一上表面以及多个设置于该上表面的凸块；

对该基板进行一热处理工艺；以及

在该热处理工艺后，成长一外延层在该基板上方。

2.根据权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中该每一凸块包含一顶面及多个壁面，该多个壁面夹置于该顶面与该上表面之间。

3.根据权利要求2所述的半导体元件制造方法，其中该热处理工艺使得该上表面及该顶面适合外延层成长。

4.根据权利要求2所述的半导体元件制造方法，其中该热处理工艺使得该多个壁面不适合外延层成长。

5.根据权利要求2所述的半导体元件制造方法，其中该外延层在该上表面上方的晶格方向与在该壁面上方的晶格方向实质相同。

6.根据权利要求2所述的半导体元件制造方法，其中该外延层的成长工艺起始于该上表面及该顶面，再延伸至该多个壁面。

7.根据权利要求2所述的半导体元件制造方法，其中该外延层在该壁面上方的衍射图与在该基板的衍射图相符。

8.根据权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中该每一凸块包含至少一斜面，该斜面夹置于该顶面与该多个壁面之间。

9.根据权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中该热处理工艺之实施温度介于1030℃ and 1050℃。

10.根据权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中该热处理工艺之实施温度不高于1050℃。