[发明专利]高压二极管台面钝化前的碱处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及电子元器件制造领域的一种高压二极管台面钝化前的碱处理工艺。

背景技术

电子产品广泛用于各行各业，半导体元器件是电子产品生产的主要部件，高压二极管就是常用的半导体整流器件，在电子电路的的设计中经常会用到高压二极管的反向击穿特性，在长期的生产和工艺探索中我们发现塑封高压二极管在台面钝化前如仅用酸腐蚀,常发生钝化后反向击穿特性曲线劣化,即反向击穿拐点不是硬击穿,有时曲线还不稳定,有跳动现象,从而严重影响产品质量和可靠性,大大降低成品率，而台面钝化前采用碱腐蚀工艺后则很好地解决了这个问题。

发明内容

    本发明的目的是克服现有技术的不足，发明一种高压二极管台面钝化前的清洗处理工艺,以提高制品的反向击穿特性，改善“软击穿”现象，提高制品测试成品率。

本发明是通过以下技术方案实现的：

具体工艺步骤如下：

1）将装有引线-硅块烧结部件的塑料模具放置在碱处理专用不锈钢托架上；

2）在碱处理装置第一NaOH槽、第二NaOH槽内分别配制好12±1%和4±0.5%的NaOH溶液，并加热到（70±2）℃；

3）将装有烧结部件的托架挂到第一NaOH槽上方的摆臂上，将托架浸入NaOH槽内，通过摆动进行腐蚀, 腐蚀时间为200s；

4）将第一NaOH槽腐蚀完成的托架迅速放到第二NaOH槽   内，通过摆动进行腐蚀, 腐蚀时间为200s；

5） 将第二NaOH槽内腐蚀完成的托架放入第一纯水淋洗   槽内，纯水流量（8±1）L/min，纯水淋洗时间为200s；

6）将第一纯水淋洗槽内淋洗完成的托架移至第一浸洗槽   内，纯水流量（10±1）L/min，纯水浸洗时间为200s，后   滤水；

7）将浸洗完成的托架放入柠檬酸三胺槽内浸泡处理，柠檬酸三胺水溶液   浓度为8±0.5%。浸泡时间为200s；

8）将浸泡完成的托架移到第二纯水淋洗槽内，纯水流量  （8±1）L/min，淋洗时间为200s；

9）将淋洗完成的托架移至纯水超声清洗槽内，纯水流量   为（10±1）L/min，清洗超声清洗时间为200s；

10）将托架移至第二浸洗槽内，纯水流量（10±1）L/min. 浸洗时间为200s，滤水，并用气枪吹干托架四周的水珠；

11）将托架浸于第一丙酮槽进行脱水处理，丙酮槽内的丙   酮完全淹没托架，脱水时间为200s；

12）将托架浸于第二丙酮槽内，丙酮槽内的丙酮完全淹没托架，脱水时间为200s，滤干；

13）将托架放在干燥传送带上进行N2吹干，设定N₂流量 ≥   300L/min，传送带速度80mm/min，干燥完毕，将托架从传送带上取出，将模具从托架上取下，放入N2保管柜内， N2保管柜N₂流量≥20L/min，碱处理好的部件下一步则进行   管芯表面涂胶钝化。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：

1.工艺合理、效率高；

2.改善制品反向击穿特性，提高制品的测试成品率。

附图说明

图1为高压二极管台面钝化前的碱处理工艺流程图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的内容做进一步的说明：

如图1所示为高压二极管台面钝化前的碱处理工艺流程图，

 为提高高压二极管制品的反向击穿特性,改善“软击穿”现象，提高制品测试成品率， 在二极管芯片进行酸腐、芯片与引线组立烧结后，导入一种新型的碱腐蚀处理工艺，以去除芯片酸腐蚀可能在台面浅表产生的染色硅膜，提高台面上胶的密着性。经过台面钝化后可有效改善器件的反向击穿特性，从而最终提高产品电性测试合格率。

具体工艺步骤如下：

1）将装有引线-硅块烧结部件的塑料模具放置在碱处理专用不锈钢托架上；

2）在碱处理装置第一NaOH槽、第二NaOH槽内分别配制好12±1%和4±0.5%的NaOH溶液，并加热到（70±2）℃；

3）将装有烧结部件的托架挂到第一NaOH槽上方的摆臂上，将托架浸入NaOH槽内，通过摆动进行腐蚀, 腐蚀时间为200s；

4）将第一NaOH槽腐蚀完成的托架迅速放到第二NaOH槽   内，通过摆动进行腐蚀, 腐蚀时间为200s；