[发明专利]抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理系统寄生沉积

权利要求书

1.一种衬底处理系统，其包括：

喷头，所述喷头包括头部和杆部并且所述喷头传输前体气体到室；

其中所述头部包括上表面、侧壁、包括多个孔的下部平面表面，以及限定在上述上表面、侧壁、下部平面表面之间的圆柱形腔室，

其中所述头部从所述杆部的一端径向向外朝着所述室的侧壁延伸并且限定位于所述头部的上表面和所述室的上表面之间的腔室，

其中所述头部的所述圆柱形腔室接收通过所述杆部的处理气体，

其中所述圆柱形腔室中的所述处理气体通过所述多个孔流入所述下部平面表面并被散布到所述室；

轴环，所述轴环将所述喷头连接到临近所述杆部的另一端的所述室的上表面；

其中，所述轴环围绕所述喷头的所述杆部设置，所述轴环包括多个槽，并且将清扫气体引导通过所述多个槽导入所述喷头的头部和所述室的所述上表面之间的腔室；和

第一板，所述第一板包括开口，所述开口容纳所述喷头的所述杆部，其中所述第一板被设置为：在(i)所述轴环的所述杆部的下边缘，位于所述多个槽的下方，与(ii)所述喷头的所述头部之间。

2.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中：

所述轴环包括底部和杆部；和

所述轴环的杆部限定了内部腔室，所述内部腔室容纳所述喷头的所述杆部。

3.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述轴环将所述清扫气体引导至所述第一板和所述喷头的所述杆部之间以及所述第一板和所述喷头的所述头部之间。

4.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一板的一个表面包括多个第一突出，以在所述第一板和所述喷头的所述头部之间提供均匀的间隔，并且其中所述开口包括多个第二突出，以在所述第一板和所述喷头的所述杆部之间提供均匀的间隔。

5.如权利要求2所述的衬底处理系统，其中：

所述轴环包括设置在所述轴环的所述底部的第一通道；

所述轴环包括被限定在所述轴环的所述杆部的所述内部腔室的表面与所述喷头的所述杆部之间的第二通道；和

所述清扫气体流过所述第一通道流向所述第二通道并且从所述第二通道流过所述槽。

6.如权利要求2所述的衬底处理系统，其中所述轴环的所述杆部具有圆形截面。

7.如权利要求2所述的衬底处理系统，其中：

所述轴环包括设置在所述轴环的所述底部的第一通道；

所述轴环包括设置在所述轴环的所述杆部的第二通道；和

所述清扫气体流过所述第一通道流向所述第二通道并且从所述第二通道流过所述槽。

8.如权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括：

N个介电板，其包括所述第一板，所述N个介电板被设置围绕所述喷头的所述头部和所述室的所述上表面之间的所述喷头的所述杆部；

其中，所述轴环将清扫气体引导至以下中的至少一处：

所述N个介电板的上方和下方；和

所述N个介电板之间，

此处N是大于零的整数。

9.如权利要求2所述的衬底处理系统，其中所述腔室限定了：

多个第一表面，所述多个第一表面以间隔的关系围绕第一圆周设置；和

多个弓形表面，所述多个弓形表面设置在所述多个第一表面之间，所述多个弓形表面相对于所述多个第一表面径向向外弯曲。

10.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述喷头由RF信号提供电源以产生在所述室中的等离子体。

11.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述室接地。

12.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述圆柱形腔室具有比所述杆部的直径大的直径。

13.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述喷头包括枝形喷头。

14.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一板被设置为使得清扫气体被从所述多个槽引导穿过所述第一板的上表面。

15.如权利要求14所述的衬底处理系统，其中所述轴环引导所述清扫气体向下进入所述第一板的开口并且进入所述第一板的下表面和所述喷头的所述头部的上表面之间的间隙。

16.一种原子层沉积系统，其包括如权利要求1所述的衬底处理系统。