[发明专利]一种提高SiO2薄膜磁控溅射沉积速率方法

权利要求书

1.一种提高SiO₂薄膜磁控溅射沉积速率方法，其特征在于：采用等离子体发射探测系统实时监测中频反应磁控溅射等离子体发射光谱，并根据检测系统设定值将反应磁控溅射稳定在过渡态任意工作点；

气体氛围为：工艺气体氩气及反应气体氧气；工艺气体置于孪生靶下方，反应气体置于孪生靶上方；

该方法需要使用一种在线监测SiO₂薄膜磁控溅射沉积速率装置：

阴极靶位采用孪生靶，电源采用中频电源；

孪生靶正上方为基材，距离100mm；

等离子体发射探测装置放置于真空腔室侧壁，真空腔室内放置光纤探头，等离子体发射光谱经由光纤传送至腔室外等离子体发射探测装置并由数据处理系统处理；

其中，等离子体中的特征光谱强度表征溅射靶面的工作模式，以金属模式溅射辉光强度为准，监测特征光谱的强度变化反馈溅射靶表面中毒情况，响应速度灵敏的反应气体流量控制器直接控制反应气体流量大小，通过调节等离子体发射监测系统设定值调节氧流量，将反应磁控溅射稳定在过渡态任意工作点；

Si靶材呈V形夹角布置。

2.根据权利要求1所述的提高SiO₂薄膜磁控溅射沉积速率方法，其特征在于：等离子体发射探测装置可设置固定值，间接控制反应气体流量并保持反应溅射稳定在过渡态任意工作点。