[发明专利]光刻返工后残留光刻胶的去除方法在审
| 申请号： | 201310258513.8 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104252103A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 沈佳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 返工 残留 去除 方法 | ||
1.一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法，包括下列步骤：
使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆；
使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；
使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；
所述第一溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第二溶液是氨水和双氧水的混合溶液，或所述第二溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第一溶液是氨水和双氧水的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中H2O和HF的摩尔比为100:1。
3.根据权利要求2所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆的步骤中浸泡时间为30秒。
4.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的混合溶液中H2SO4和H2O2的摩尔比为5:1。
5.根据权利要求1或4所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述氨水和双氧水的混合溶液中NH4OH、H2O2、H2O的摩尔比为1:2:10。
6.根据权利要求5所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤和使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤中清洗时间为10分钟。
7.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤和使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤中是进行超声波清洗。
8.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗并使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗是进行两次。
9.根据权利要求1所述的光刻返工后残留光刻胶的去除方法，其特征在于，所述光刻胶为残留在多晶硅层表面的光刻胶。
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