[发明专利]电子元件组合及其制造方法在审
| 申请号： | 201310258839.0 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104254234A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 林文进;王文杰;陈钦洲 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H05K5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元件 组合 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子元件组合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面开设凹槽，该凹槽内涂布粘着剂以将第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件与第二元件之间未经粘着剂胶合的区域直接接触。
2.如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该凹槽包括一长槽及开设于长槽两侧的溢胶槽。
3.如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该粘着剂为纳米粘着剂。
4.如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该第一元件及第二元件均为金属薄片。
5.如权利要求1所述的电子元件组合，其特征在于：该凹槽深度为200μm。
6.一种电子元件组合的制造方法，包括以下步骤：
提供一第一元件及一第二元件；
在第二元件上表面开设凹槽；
将粘着剂涂布于该凹槽内；
将第一元件接合于第二元件的上表面，粘着剂将第一元件粘接于第二元件。
7.如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该凹槽可运用化学能或热能进行开设。
8.如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该凹槽包括一长槽及开设于长槽两侧的溢胶槽。
9.如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该凹槽深度为为200μm。
10.如权利要求6所述的电子元件组合的制造方法，其特征在于：该粘着剂为纳米粘着剂。
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