[发明专利]用于化学气相沉积的晶圆传输装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体化学气相沉积设备，尤其涉及一种用于化学气相沉积的晶圆传输装置，其设置于化学气相沉积设备的反应腔内。

背景技术

现有技术的半导体化学气相沉积设备反应腔中的晶圆传输装置通常包含陶瓷底盘和设置在陶瓷底盘上的铝制固定片，陶瓷底盘和铝制固定片通过镍合金钢螺丝连接在一起，但是现有技术的晶圆传输装置具有一些缺陷。化学气相沉积生产过程中，反应腔内温度有较大变化，例如在生产前由室温升高到400℃的工作温度，生产后又从400℃的工作温度降到室温，由于陶瓷底盘、铝制固定片、镍合金钢螺丝的热膨胀系数相差较大，铝制固定片与螺丝之间的热应力导致陶瓷底盘很容易破裂损坏。

发明内容

本发明提供了一种用于化学气相沉积的晶圆传输装置，能够在化学气相沉积生产中传输晶圆，并且使用寿命长，破损率低。

本发明采用如下技术方案实现：

用于化学气相沉积的晶圆传输装置，设置在化学气相沉积设备的反应腔内，所述化学气相沉积设备包含驱动系统，该驱动系统包含电机及与电机连接的驱动轴；其中所述晶圆传输装置包含：

陶瓷底盘，所述陶瓷底盘的中心与化学气相沉积设备的驱动轴连接； 

设置在陶瓷底盘上表面的多个固定片，各所述固定片材料为陶瓷，各所述固定片分别通过螺丝与陶瓷底盘连接；

设置在陶瓷底盘与各所述固定片之间的多组传输手，各所述传输手沿着陶瓷底盘的径向设置。

上述的用于化学气相沉积的晶圆传输装置，其中所述传输手的数量与固定片数量相等，各组所述传输手位置与各固定片位置对应。

上述的用于化学气相沉积的晶圆传输装置，其中每组所述传输手包含平行间隔设置的多个陶瓷手指。

上述的用于化学气相沉积的晶圆传输装置，其中所述陶瓷底盘上表面设有多个凹槽，各所述凹槽间隔设置在陶瓷底盘的边缘；各所述陶瓷手指一端设置在陶瓷底盘上表面的凹槽内，其另一端伸出陶瓷底盘外。

上述的用于化学气相沉积的晶圆传输装置，其中所述固定片为扇环形。

本发明具有以下积极效果：

本发明包含陶瓷底盘和固定片，由于固定片采用陶瓷材料，其热膨胀系数与陶瓷底盘的热膨胀系数相同，当化学气相沉积设备的反应腔内温度由室温升高到工作温度，或由工作温度下降到室温时，陶瓷底盘与固定片之间的热应力较小，因此降低了陶瓷底盘破损的概率，提高了晶圆传输装置的使用寿命，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明的局部剖视图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。

本发明一种用于化学气相沉积的晶圆传输装置，设置在半导体晶圆化学气相沉积设备的反应腔内。化学气相沉积设备包含驱动系统，该驱动系统包含电机及与电机连接的驱动轴；本发明与化学气相沉积设备的控制系统及驱动系统连接，从而实现对晶圆的传输。

如图1和图2所示，本发明包含陶瓷底盘1，设置在陶瓷底盘1上表面的多个固定片2，设置在陶瓷底盘1与各固定片2之间的多组传输手3。

本实施例中陶瓷底盘1为环形，其中心与化学气相沉积设备的驱动轴10连接。陶瓷底盘1上表面设有多个凹槽11，各凹槽11间隔设置在陶瓷底盘1的边缘。

各组传输手3设置在陶瓷底盘1与各固定片2之间，其分别沿着陶瓷底盘1的径向设置。

每组传输手3包含平行间隔设置的多个陶瓷手指31。各陶瓷手指31一端设置在陶瓷底盘1上表面的凹槽11内，其另一端伸出陶瓷底盘1外。

固定片2为扇环形，各固定片2设置在陶瓷底盘的上表面，多个固定片2依次相邻排列为环形。固定片2为陶瓷材料制成，各固定片2分别通过螺丝4与陶瓷底盘连接。

传输手3的数量与固定片2的数量相等，各组传输手3的位置与各固定片2的位置一一对应。

综上所述，本发明包含陶瓷底盘和固定片，由于固定片采用陶瓷材料，其热膨胀系数与陶瓷底盘的热膨胀系数相同，当化学气相沉积设备的反应腔内温度由室温升高到工作温度，或由工作温度下降到室温时，陶瓷底盘与固定片之间的热应力较小，因此降低了陶瓷底盘破损的概率，提高了晶圆传输装置的使用寿命，降低了生产成本。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。