[发明专利]光电二极管

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：

一第一型基底，包含一上表面；

一第二型掺杂井，设置于该第一型基底内，该第一型基底与该第二型掺杂井相邻接面区域为一PN连接界面；

一第二型掺杂区，形成于该第二型掺杂井内，并且从该第二型掺杂井的表面延伸；

一隔离区域，形成于该第一型基底内，并且不接触该第二型掺杂井；

一保护层，形成于该第一型基底的上表面，并且覆盖该第二型掺杂区与该第二型掺杂井；以及

一接触导体，贯穿该保护层，并且包括一接触层与一导电条，其中该接触层形成于该导电条的一端，并且接触及连接该第二型掺杂区。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该第一型基底为一P型基底。

3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该第二型掺杂井为一相对低浓度掺杂，该第二型掺杂区为一相对高浓度掺杂。

4.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该接触层为一金属硅化层。

5.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该隔离区域为氮化硅或氧化硅。

6.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该隔离区域为局部氧化层、浅沟槽隔离层或场氧化层。

7.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该保护层包含一透明导电氧化物层与一多晶硅层，该透明导电氧化物层设置于该多晶硅层上方。

8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，该多晶硅层厚度为0.1um。

9.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，该多晶硅层电连接于该第一型基底。

10.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该接触导体为一接触插塞。