[发明专利]一种纳米级碳化硅铜基合金材料制备方法

权利要求书

1.一种纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)按照国标GB/T1176-1987的标准及铜合金材料QAL9-4的化学成分要求将电解铜，铝锭及铁锭按照重量比例放入电炉中熔炼，熔炼期间根据熔炉的体积大小控制铜合金液体积在熔炉体积的90％以下；熔炼温度为1300-1380℃；时间为3-3.5小时；

2)对所述铜合金液进行成分检测；

3)将占总体积5-10％的纳米级碳化硅粉体放入检验合格的所述铜合金液的表面，开启工频电炉的震动装置并用石墨棒进行搅拌，使其均匀混合，形成纳米级碳化硅铜基合金液；

4)保温与铸造，将所述纳米级碳化硅铜基合金液保温20-30分钟，保温温度为1600-1650℃，然后将所述纳米级碳化硅铜基合金铸造成合金棒材，铸造温度为1000-1100℃；

5)将所述合金棒材进行表面车加工处理，并按照出厂标准包装。

2.如权利要求3所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，所述的纳米级碳化硅粉体的纳米级碳化硅的粒径为10μm～30μm。

3.如权利要求3所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中控制铜合金液体积为熔炉体积的82％，所述步骤3)中加入的纳米级碳化硅粉体占总体积10％。

4.如权利要求3所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中控制铜合金液体积为熔炉体积的82％，所述步骤3)中加入的纳米级碳化硅粉体占总体积8％。

5.如权利要求3所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中控制铜合金液体积为熔炉体积的85％，所述步骤3)中加入的纳米级碳化硅粉体占总体积5％。

6.如权利要求1所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中控制铜合金液体积为熔炉体积的80％，所述步骤3)中加入的纳米级碳化硅粉体占总体积10％。

7.如权利要求1所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中控制铜合金液体积为熔炉体积的80％，所述步骤3)中加入的纳米级碳化硅粉体占总体积5％。

8.如权利要求1所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，步骤2)采用斯派克直读光谱仪检测所述铜合金液成分。

9.如权利要求1所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法，其特征在于，步骤4)中铸造合金棒材的方式为连续铸造。

10.一种根据权利要求1-9任意一项所述的纳米级碳化硅铜基合金材料的制备方法制备的纳米级碳化硅铜基合金材料，其特征在于，由以下组分组成：占总体积5-10％的纳米级碳化硅和占总体积90-95％的铜合金材料ZQAL9-4。