[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号： | 201310260199.7 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103346210A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 徐卓;杨学良;杨德成;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的背表面形成铝背场和钝化层，其中，所述铝背场包括栅状铝背场和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场，而所述钝化层位于所述栅状铝背场和主背场的间隙内。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，每条栅状铝背场的宽度为30μm～1000μm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，相邻的栅状铝背场之间的距离为1mm～30mm，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层和氮化硅层的双层结构，且所述氧化铝层位于所述氮化硅层和所述半导体衬底的背表面之间。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的背表面形成铝背场和钝化层的过程包括：
在半导体衬底的背表面丝网印刷栅状铝背场和和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场；
遮挡所述铝背场，在所述栅状铝背场和主背场的间隙内形成钝化层。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的背表面形成铝背场和钝化层的过程包括：
在半导体衬底的背表面形成钝化层，且所述钝化层完全覆盖所述半导体衬底的背表面；
激光刻蚀所述钝化层，在所述钝化层内形成凹槽，所述凹槽的分布与所述铝背场的位置对应，且所述凹槽的深度等于所述钝化层的厚度；
在所述钝化层的凹槽内印刷铝背场。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制作方法形成的太阳能电池，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的背表面的铝背场和钝化层，其中，所述铝背场包括栅状铝背场和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场，而所述钝化层位于所述栅状铝背场和主背场的间隙内。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层和氮化硅层的双层结构，且所述氧化铝层位于所述氮化硅层和所述半导体衬底的背表面之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
