[发明专利]一种掩膜版及液晶显示器制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种掩膜版及液晶显示器制造方法。

背景技术

TFT-LCD制造工业的工艺技术，按照加工的先后顺序分为阵列工艺、成盒工艺和模块工艺，其中阵列工艺类似于半导体工艺在玻璃基板上有规则地做成TFT器件、像素等图案的过程，阵列工艺包括洗净工艺、CVD成膜技术、Sputter成膜技术、光刻胶或光致抗蚀剂（简称PR）涂布、显影和剥离技术、曝光技术、湿刻技术、以及干刻技术等，以5层薄膜图案的工艺为例，阵列工艺根据成膜的先后顺序依次分为G工程（形成扫描线相关的图案）、I工程（形成TFT沟道用硅岛图案）、D工程（形成数据线相关的图案）、C工程（形成接触孔图案）、PI工程（形成像素电极），每形成一层薄膜图案，就需要一张MASK（掩膜版），故5层薄膜图案的工艺称为5MASK工艺。

曝光是光刻工艺中的重要环节，曝光工艺实现了MASK上的图形向PR的转写，PR形成图形后，对下面的膜层进行相应刻蚀，膜层上就形成图形。曝光工艺在PR涂布后，用带有图像的MASK对玻璃基板形成选择性UV（紫外）照射，PR显影后，MASK上的图案被转写到PR层上，在膜层刻蚀、PR剥离后，PR层上的图案被撰写到膜层上，膜层上就形成了与MASK上相同的图案，以上就是曝光的过程。

图1为现有液晶阵列基板经过四次曝光后的结构示意图，经过曝光后，玻璃基板10的周边还剩余残留的金属或半导体11，由于曝光剩余的残留的金属或半导体11对已形成的图案造成可能短路或其他干扰，故也需要将残留的金属或半导体11也曝光掉。

目前的方法是将遮光板20放置于玻璃基板10的周边，通过UV紫外光30将剩余的残留的金属或半导体11进行曝光掉，由于不清楚剩余的残留的金属或半导体11具体尺寸的大小，目前只能通过不断试验和一点点曝光设定的方式寻找光罩曝光边缘21才能将剩余的残留的金属或半导体11曝掉，也即：如果剩余的残留的金属或半导体11的宽度实际为1cm，由于不清楚该剩余的残留的金属或半导体11的具体尺寸，故只能先尝试将光罩曝光边缘21设置为0.2cm的宽度，曝光掉部分的残留图案，再通过检测是否还有剩余的残留图案存在，如果检测还存在有残留图案的存在，又接着将光罩曝光边缘21设置为0.2cm的宽度，曝光剩余的部分残留图案；再尝试曝光掉剩余的部分中的一部分残留图案（如又为0.2cm的宽度），再通过检测是否还有剩余的残留图案存在，如果检测还存在有残留图案的存在，以此类推，但到最后还会剩下部分的残留图案12存在，如图2所示。

故需要想出一种新的方法，能够一次性的去除残留图案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种节约生产成本和方便操作的掩膜版及其液晶显示器制造方法。

本发明提供一种掩膜版，其包括：位于中间的挖空的图案区域和位于图案区域周边的外围区域，在所述图案区域和外围区域之间设有至少一尺规。

其中，所述尺规具有位于图案区域的正值区域和位于外围区域的负值区域，正值区域和负值区域之间为0。

其中，所述尺规具有位于外围区域的正值区域和位于图案区域的负值区域，正值区域和负值区域之间为0。

其中，所述图案区域和外围区域相对的每一边均设有至少一尺规。

其中，所述图案区域和外围区域相对的每一边设有两个尺规。

本发明还提供一种液晶显示器制造方法，该液晶显示器制造需要至少形成2层薄膜图案的工艺在玻璃基板上，每层薄膜图案均需要一掩膜版，每张掩膜版包括位于中间的挖空的图案区域和位于图案区域周边的外围区域，在所述图案区域和外围区域之间设有至少一尺规，每层掩膜版的尺规在玻璃基板上的投影不重合。

其中，按照曝光的先后顺序，每张掩膜版内形成的尺规按序排列。

本发明通过在液晶显示器制造过程中，将掩膜版内设置具有刻度的尺规，在曝光形成特定图案后可以一次性的将玻璃基板周边剩余的残留图案能够一次性曝光掉，从而可以节约生产成本和方便操作。

附图说明

图1为现有液晶阵列基板经过四次曝光后的结构示意图；

图2为图1所示阵列基板出去玻璃基板周边剩余的残留图案的曝光过程；

图3为本发明液晶显示器的掩膜版的结构示意图；

图4为图3的局部放大图；

图5为本发明液晶显示器的5张掩膜版在玻璃基板上的示意图；

图6为图5的局部放大图。

具体实施方式