[发明专利]一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法在审
| 申请号： | 201310260512.7 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103311801A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 薄报学;周路;王云华;许留洋;高欣;乔忠良 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno 薄膜 钝化 半导体激光器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，该方法包括在磁控溅射系统内采用氩、氢混合等离子体分别对激光器前后腔面进行清洗，清洗后原位溅射ZnO钝化薄层，最后按常规工艺镀制前腔面增透膜和后腔面高反膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，其特征在于，在磁控溅射系统中，以辉光放电形式引入氩、氢混合等离子体（氢气含量10%～90%），对在空气中解理后的bar条前后腔面分别用低于20W的功率进行等离子体清洗5-15min，用于清除腔面处的表面污染及氧化物，同时起到悬挂键钝化作用。
3.根据权利要求1所述的一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，其特征在于，以ZnO陶瓷靶为溅射对象，在等离子体清洗后的腔面上原位溅射厚度不大于20nm的ZnO宽禁带材料作为钝化层，进一步减少表面悬挂键，同时原位保护等离子体清洗效果。
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