[发明专利]汞离子的光电化学测定

权利要求书

1.汞离子的光电化学测定，其特征在于：

a、一定量的表面修饰剂与0.02mol/L的水溶性锌盐溶液混合后，用1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为中性；然后通入高纯氮气30min后，加入0.1mol/L的Na₂S(或者NaHSe)水溶液，继续通N₂搅拌，在一定温度下加热反应一定时间，得水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料；

b、将经过预处理的ITO玻璃片浸在含有NaCl的2％PDDA聚合物的溶液中，几分钟后用去离子水冲洗电极表面；然后再浸入到水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料中，几分钟后用去离子水清洗电极表面。以上步骤即完成对ITO电极的修饰。所制得的电极可储存在室温下；

c、由一定浓度的电子供体和一定pH的磷酸缓冲溶液组成电解质溶液，以制得的ZnX(X代表硫、硒)修饰的电极作为工作电极，加入待测的Hg²⁺溶液后，一定电位下，在自制的光电化学仪器上进行光电流的测定。

2.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定，其特征在于所述的ZnX(X代表硫、硒)纳米材料的表面修饰剂为巯基乙醇，巯基乙酸，巯基丙酸，半胱氨酸，柠檬酸三钠，表面修饰剂的量为锌离子的物质的量的1-6倍。

3.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定，其特征在于合成ZnX(X代表硫、硒)纳米材料时所选用的反应温度为室温-100度，反应时间为1-6小时。

4.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定，其特征在于光电流测定时所使用的电子供体为抗坏血酸，三乙醇胺，三乙基胺，Na₂SO₃，电子供体的浓度为0.05-0.5mol/L。

5.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定，其特征在于光电流测定时所使用的磷酸缓冲溶液的pH为3.0-10.0。

6.根据权利要求1所述的汞离子的光电化学测定，其特征在于光电流测定时采用的电压为-0.2-0.2V(相对于Ag/AgCl参比电极)。