[发明专利]晶片加工用胶带

权利要求书

1.一种半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带的特征在于：

在高弹性基材膜的一侧面具有至少1层以上的低弹性模量层，在该低弹性模量层上具有放射线固化型粘合剂层；

该高弹性基材膜的杨氏模量为5.0×10⁸Pa～1.1×10¹⁰Pa；

该低弹性模量层在25℃下的储能模量G’(25℃)为2.5×10⁵Pa～4.0×10⁵Pa、在60℃下的储能模量G’(60℃)为0.2×10⁵Pa～1.5×10⁵Pa，二者之比G’(60℃)/G’(25℃)为0.5以下；

该低弹性模量层在25℃下的损耗角正切tanδ(25℃)为0.08～0.15，与在60℃下的损耗角正切tanδ(60℃)之比tanδ(60℃)/tanδ(25℃)为4.0以上；且

该放射线固化型粘合剂层的厚度为5μm～100μm，该低弹性模量层与该放射线固化型粘合剂层的厚度之比、即放射线固化型粘合剂层厚度/低弹性模量层厚度为1/2以下。

2.如权利要求1所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述半导体晶片加工用胶带是粘贴在表面具有10μm以上突起的半导体晶片的该表面上进行使用的半导体晶片加工用胶带；所述低弹性模量层的厚度为该半导体晶片加工用胶带厚度的1/2以上；该低弹性模量层含有乙酸乙烯酯成分为10质量%～45质量%的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。

3.如权利要求1所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述高弹性基材膜为聚酯系树脂。

4.如权利要求2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述高弹性基材膜为聚酯系树脂。

5.如权利要求1～4的任一项所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述半导体晶片加工用胶带在厚度方向的压缩时变形量在25℃下为130μm～170μm，在施加50N的应力下保持3分钟后的应力减少率为15%以下。