[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一单晶硅衬底、第一模具载片舟和第二模具载片舟，其中，所述第一模具载片舟包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区，所述第二模具载片舟包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区，且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应，所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应；

在所述单晶硅衬底的一个表面形成钝化层；

采用第一模具载片舟，在所述钝化层表面形成光栅状的第一掺杂非晶硅指区和位于所述第一掺杂非晶硅指区表面的第一导电薄膜；

采用第二模具载片舟，在所述钝化层表面形成光栅状的第二掺杂非晶硅指区和位于所述第二掺杂非晶硅指区表面的第二导电薄膜，所述第二掺杂非晶硅指区的掺杂类型与所述第一掺杂非晶硅指区的掺杂类型相反，且所述第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜与所述第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜交叉排列。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一模具载片舟和第二模具载片舟还包括位于所述第一模具载片舟和第二模具载片舟四周的边框，所述边框包围所述第一模具载片舟和第二模具载片舟的薄膜生长区和遮挡区，且所述边框靠近所述薄膜生长区和遮挡区的侧表面形成有凹槽。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层为氢化本征非晶硅层、氢化微晶硅层、氢化非晶碳化硅层或者氢化非晶氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电薄膜和所述第二导电薄膜均为TCO薄膜。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用第一模具载片舟在所述钝化层表面形成光栅状的第一掺杂非晶硅指区和位于所述第一掺杂非晶硅指区表面的第一导电薄膜的过程包括：

将所述单晶硅衬底放置于所述第一模具载片舟内，且所述单晶硅衬底的钝化层与所述第一模具载片舟的表面接触；

将所述放置有单晶硅衬底的第一模具载片舟放入PECVD设备，通过所述第一模具载片舟的第一薄膜生长区，采用下镀膜的方式在所述钝化层表面形成光栅状的第一掺杂非晶硅指区；

将所述放置有单晶硅衬底的第一模具载片舟从PECVD设备转移至PVD设备，通过所述第一模具载片舟的第一薄膜生长区，采用下镀膜的方式在所述第一掺杂非晶硅指区表面形成第一导电薄膜。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用第二模具载片舟，在所述钝化层表面形成光栅状的第二掺杂非晶硅指区和位于所述第二掺杂非晶硅指区表面的第二导电薄膜的过程包括：

将所述单晶硅衬底放置于所述第二模具载片舟内，且所述单晶硅衬底的第一导电薄膜与所述第二模具载片舟的表面接触；

将所述放置有单晶硅衬底的第二模具载片舟放入PECVD设备，通过所述第二模具载片舟的第二薄膜生长区，采用下镀膜的方式在所述钝化层表面形成光栅状的第二掺杂非晶硅指区；

将所述放置有单晶硅衬底的第二模具载片舟从PECVD设备转移至PVD设备，通过所述第二模具载片舟的第二薄膜生长区，采用下镀膜的方式在所述第二掺杂非晶硅指区表面形成第二导电薄膜。

7.一种根据权利要求1-6任一项所述的制作方法形成的背接触太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅衬底；位于所述单晶硅衬底一个表面的钝化层；位于所述钝化层表面的第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜；位于所述钝化层表面的第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜，且所述第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜与第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜交叉排列。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅指区和所述第二掺杂非晶硅指区的厚度为3nm～30nm，包括端点值。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电薄膜和第二导电薄膜的厚度为20nm～500nm，包括端点值。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述交叉排列的第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜和第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜之间的间隙为0.2μm～500μm，包括端点值。