[发明专利]非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310261253.X | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104241124A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄璇;邓小社;王根毅;王万礼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非穿通型反 向导 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：
提供N型衬底；
在所述N型衬底上采用挖槽填充的方式形成P+发射区；
在所述N型衬底上具有P+发射区的一面外延制备N型漂移区；
在所述N型漂移区上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；
将所述N型衬底减薄至背面露出所述P+发射区；
在所述N型衬底背面形成金属电极。
2.根据权利要求1所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述N型衬底的厚度为100～650微米，所述N型漂移区的厚度为10～650微米，且所述N型衬底和N型漂移区的厚度之和与正常流通硅片的厚度相当。
3.根据权利要求2所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述正常流通硅片是厚度为625微米或675微米的6英寸硅片，或者是厚度为725微米的8英寸硅片。
4.根据权利要求1所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述在N型衬底上采用挖槽填充的方式形成P+发射区的步骤包括：
在所述N型衬底上光刻形成刻蚀图形；
根据所述刻蚀图形对N型衬底进行腐蚀形成沟槽；
在所述沟槽内填充P型硅；
将所述N型衬底表面和P型硅磨平。
5.根据权利要求4所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型硅为单晶硅、多晶硅或非晶硅。
6.根据权利要求5所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法进一步包括：所述多晶硅和非晶硅的P型硅经过加热，以形成单晶硅。
7.根据权利要求4所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型硅的电阻率为0.001～50欧姆·厘米。
8.根据权利要求1所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述N型衬底的电阻率为0.001～10欧姆·厘米，所述N型漂移区的电阻率为5～500欧姆·厘米。
9.根据权利要求1所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述在N型衬底背面形成金属电极的步骤中，可以采用溅射或蒸发方式形成所述金属电极。
10.根据权利要求1所述的非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述在N型漂移区上制备绝缘栅双极型晶体管的正面结构的步骤包括：
在所述N型漂移区上间隔形成P型体区；
在所述P型体区上形成N型发射区；
在所述P型体区之间的N型沟道上形成栅极层；
在所述N型发射区上引出发射极电极，在所述栅极层上引出栅极电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
