[发明专利]存储控制设备、存储设备、信息处理系统及其处理方法

权利要求书

1.一种存储控制设备，包括：

读取处理单元，其从存储器单元阵列的特定区域读取数据和反转状态信息，所述反转状态信息指示所述数据处于反转状态还是非反转状态，所述存储器单元阵列的特定区域相关联地用第一强度存储所述数据和反转状态信息；以及

写入处理单元，其用与所述第一强度不同的第二强度，将通过反转所述数据获得的数据和通过将由所述反转状态信息指示的状态改变为相反状态获得的状态写入所述特定区域。

2.如权利要求1所述的存储控制设备，

其中所述存储器单元阵列是可变电阻元件，

其中所述第一强度是普通强度，其指示电阻高于预定阈值的高电阻状态和电阻低于预定阈值的低电阻状态之一，并且

其中所述第二强度是这样的强度，其对于高电阻状态指示其中电阻高于所述第一强度的高电阻状态的电阻的电阻状态，并且对于低电阻状态指示其中电阻低于所述第一强度的低电阻状态的电阻的电阻状态。

3.如权利要求1所述的存储控制设备，

其中所述存储器单元阵列是可变电阻元件，

其中所述第二强度是普通强度，其指示电阻高于预定阈值的高电阻状态和电阻低于预定阈值的低电阻状态之一，并且

其中所述第一强度是这样的强度，其对于高电阻状态指示其中电阻高于所述第二强度的高电阻状态的电阻的电阻状态，并且对于低电阻状态指示其中电阻低于所述第二强度的低电阻状态的电阻的电阻状态。

4.如权利要求1所述的存储控制设备，

其中所述存储器单元阵列与所述数据相关联地存储强度信息，所述强度信息指示用所述第一强度或第二强度存储所述数据，

其中所述读取处理单元与所述数据一起读取所述强度信息，并且

其中当所述强度信息指示用所述第一强度存储所述数据时，所述写入处理单元用所述第二强度，在特定区域中执行通过反转所述数据获得的数据和通过将由所述反转状态信息指示的状态改变为相反状态获得的状态的写入，并且当所述强度信息指示用所述第二强度存储所述数据时，不执行写入。

5.如权利要求1所述的存储控制设备，其中当所述反转状态信息指示非反转状态时，所述写入处理单元用所述第二强度，在特定区域中执行通过反转所述数据获得的数据和作为反转状态信息的指示反转状态的信息的写入，并且当所述反转状态信息指示反转状态时，不执行写入。

6.一种存储设备，包括：

存储器单元阵列，其相关联地存储数据和反转状态信息，所述反转状态信息指示所述数据处于反转状态还是非反转状态；

读取处理单元，其从所述存储器单元阵列的特定区域读取所述数据和反转状态信息，所述存储器单元阵列的特定区域用第一强度存储所述数据和反转状态信息；以及

写入处理单元，其用与所述第一强度不同的第二强度，将通过反转所述数据获得的数据和通过将由所述反转状态信息指示的状态改变为相反状态获得的状态写入所述特定区域。

7.一种信息处理系统，包括：

存储器单元阵列，其相关联地存储数据和反转状态信息，所述反转状态信息指示所述数据处于反转状态还是非反转状态；

主机计算机，其发出用于改变存储强度的命令到所述存储器单元阵列；

读取处理单元，其响应于所述命令，从所述存储器单元阵列的特定区域读取所述数据和反转状态信息，所述存储器单元阵列的特定区域用第一强度存储所述数据和反转状态信息；以及

写入处理单元，其用与所述第一强度不同的第二强度，将通过反转所述数据获得的数据和通过将由所述反转状态信息指示的状态改变为相反状态获得的状态写入所述特定区域。

8.一种存储控制方法，包括：

从存储器单元阵列的特定区域读取数据和反转状态信息，所述反转状态信息指示所述数据处于反转状态还是非反转状态，所述存储器单元阵列的特定区域相关联地用第一强度存储所述数据和反转状态信息；以及

用与所述第一强度不同的第二强度，将通过反转所述数据获得的数据和通过将由所述反转状态信息指示的状态改变为相反状态获得的状态写入所述特定区域。