[发明专利]化学气相沉积设备保养后复机方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种化学气相沉积设备保养后复机方法。

背景技术

化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称CVD)，是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一，CVD工艺主要用于半导体薄膜的制备。CVD设备大致可以分为以下几类：低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，简称LPCVD)、常压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapor deposition，简称APCVD)、等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，简称PECVD)和金属有机化学气相沉积法(metal-organic chemical vapor deposition，简称MOCVD)。LPCVD技术因为可以调高沉积薄膜的质量，使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点，已经成为制备半导体薄膜的主要方法。

微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，简称MEMS)技术是一个全新的技术领域和产业，主要包括微型机构、微型传感器、微型执行器和相应的处理电路等几部分。MEMS技术具有高精度、高效能等优点，所以，现有技术将MEMS技术应用于LPCVD淀积工艺，得到了MEMS LPCVD Furnace(炉管)工艺，主要用于淀积锗或锗化硅，以提高低压化学气相沉积工艺的效率与稳定性。

图1为现有技术中微机电系统低压化学气相沉积设备的示意图，低压化学气相沉积设备100包括石英管110、碳化硅内管120、碳化硅晶舟130、进气管(Nozzle)140、热电偶150以及基座160。碳化硅内管120位于石英管110内，碳化硅晶舟130用于放置晶圆131，并位于碳化硅内管120内。热电偶150位于碳化硅内管120和石英管110之间，基座160用于支撑石英管110、碳化硅内管120以及碳化硅晶舟130，进气管140用于向晶圆131提供反应气体，以在晶圆131上生长沉积薄膜。

然而，在晶圆131上生长沉积薄膜时，由于在原理上不能使所有的反应气体在晶圆131上反应，所以，在低压化学气相沉积设备100的部件(例如石英管110、碳化硅内管120、碳化硅晶舟130、进气管140、热电偶150以及基座160等)上会附着副产物。长期生产后，该副产物会以微粒(particle)的形式影响薄膜的生长，妨碍良好品质的薄膜的形成。其中，石英管110、进气管140以及热电偶150等石英部件上的副产物更容易产生剥落缺陷(peeling defect)，从而产生微粒。为此，必须定期的对低压化学气相沉积设备100进行保养(Preventive Maintenance，简称PM)。

由于MEMS LPCVD Furnace是一门新兴的技术，因此业界没有专门的一个保养后复机(recover)标准或者流程。因此，保养后顺利的复机并保证微粒处于可控范围成为一个重要的课题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种化学气相沉积设备保养后复机方法，能够保正化学气相沉积设备进行保养并复机后，化学气相沉积设备中的微粒处于可控范围。

为解决上述技术问题，本发明提供一种化学气相沉积设备保养后复机方法包括：

步骤一：将虚拟晶圆放入所述化学气相沉积设备的反应腔中；

步骤二：对所述虚拟晶圆淀积一硅层；

步骤三：对所述虚拟晶圆淀积一锗化硅层。

进一步的，在所述步骤一之前，还包括：更换所述化学气相沉积设备的石英部件。

进一步的，在所述步骤一之前，还包括：清洗所述化学气相沉积设备的碳化硅部件以及金属部件。

进一步的，在所述步骤三之后，还包括：对所述虚拟晶圆淀积一锗层。

进一步的，在所述对所述虚拟晶圆淀积一锗层的步骤中，所述化学气相沉积设备的反应腔的温度变化小于等于100℃。

进一步的，在所述对所述虚拟晶圆淀积一锗层的步骤中，对所述虚拟晶圆淀积所述锗层的程式与对产品晶圆淀积锗的程式相同。

进一步的，所述锗层的厚度为2μm～5μm。

进一步的，在所述步骤二中，所述化学气相沉积设备的反应腔的温度变化小于等于100℃。