[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310261394.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104253034B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤一：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有一个硅通孔结构，所述硅通孔结构内形成有填充材料层；
步骤二：对所述半导体衬底进行电解抛光；以及
步骤三：对所述步骤二后的半导体衬底进行化学机械研磨；
在所述步骤一和步骤二之间，还包括：
扫描所述填充材料层的形貌以及原始厚度；以及
根据所述填充材料层的形貌、原始厚度以及目标厚度，计算电解终点以及电解抛光条件。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅通孔结构包括通孔以及填充所述通孔的填充材料层，并且所述填充材料层覆盖所述半导体衬底表面。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述填充材料层的材料为铜。
4.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤二包括：
将所述半导体衬底放入一电解槽内，所述电解槽内盛有电解液；
以预定速度移动所述半导体衬底，使所述填充材料层接触到所述电解液；以及
当所述填充材料层被电解到目标厚度时，停止电解抛光。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述目标厚度为1.5μm～2.5μm。
6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述电解槽还包括设置于所述电解液内的阴极。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阴极为金属陶瓷复合多孔阴极。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述电解槽还包括设置于所述金属陶瓷复合多孔阴极上的多孔陶瓷衬垫。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属陶瓷复合多孔阴极的厚度为3mm～5mm，所述多孔陶瓷衬垫的厚度为1mm～2mm。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤二中，将所述半导体衬底设置为阳极，并使所述填充材料层面向所述多孔陶瓷衬垫。
11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤二中，对所述电解液施加一从下往上的压力，使所述电解液完全渗透至所述多孔陶瓷衬垫中，并不溢出所述多孔陶瓷衬垫。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述填充材料层与所述多孔陶瓷衬垫接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
