[发明专利]一种GaN基LED外延片的制备方法

权利要求书

1.一种GaN基LED外延片的制备方法，包括：

在蓝宝石平面衬底上生长一层u-GaN层材料；

在所述u-GaN层材料上依次生长InGaAlN多层结构，其中所述InGaAlN多层结构包括n型GaN层，p型GaN层以及位于n型层和p型层之间的多量子阱发光层；

其特征在于采用湿法粗化法对所述u-GaN层或n型GaN层进行粗化。

2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于采用化学腐蚀法进行粗化。

3.根据权利要求2所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于化学腐蚀液包括但不限于下列酸性溶液的至少一种：H₂SO₄、HF、HCL、H₃PO₄、HNO₃。

4.根据权利要求2所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于化学腐蚀液包括但不限于下列碱性溶液的至少一种：KOH、NaOH、NH₄OH。

5.根据权利要求1所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于采用光电化学氧化和蚀刻法进行粗化。

6. 根据权利要求5所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于光电化学氧化和蚀刻处理在具有水溶液系统，照明系统以及电偏置系统中执行，水溶液为氧化剂与酸溶液的组合，照明系统为紫外灯系统。

7.根据权利要求6所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于氧化剂包括但不限于下列溶液的至少一种：H₂O₂、K₂S₂O₈。

8.根据权利要求6所述的GaN基LED外延片的制备方法，其特征在于酸溶液包括但不限于下列溶液的至少一种：H₂SO₄、HF、HCL、H₃PO₄、HNO₃、CH₃COOH。

9.一种使用GaN基LED外延片的制备方法制备的GaN基LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、u-GaN层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型掺杂GaN层、p型氮化镓层、高掺杂的p-型GaN电极接触层，其特征在于所述u-GaN层或n型氮化镓层经过湿法粗化处理，粗化后表面形成一层多孔洞结构。