[发明专利]一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法有效
| 申请号： | 201310263648.3 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346212A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王英超;熊景峰;胡志岩;李高非;赵文超 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 方法 电池 制备 | ||
1.一种磷扩散方法，其特征在于，包括：
对扩散炉进行加热；
当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后，通入设定流量的小氮以及氧气，并持续加热，其中，所述小氮为携带三氯氧磷的氮气，所述小氮的流量小于氧气的流量；
当扩散炉内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后，使小氮的流量大于氧气的流量，开始磷扩散；
预设时间的磷扩散后，进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的磷扩散方法，其特征在于，当所述小氮的流量小于氧气的流量时，所述氧气的流量范围为100sccm-1500sccm，包括端点值，所述小氮的流量范围为30sccm-200sccm，包括端点值。
3.根据权利要求2所述的磷扩散方法，其特征在于，当所述小氮的流量小于氧气的流量时，所述氧气的流量与所述小氮的流量比为3～7：1。
4.根据权利要求3所述的磷扩散方法，其特征在于，当所述小氮的流量小于氧气的流量时，所述氧气的流量为500sccm，所述小氮的流量为100sccm。
5.根据权利要求1所述的磷扩散方法，其特征在于，当小氮的流量大于氧气的流量时，所述氧气的流量范围为150sccm-250sccm，包括端点值，所述小氮的流量为600sccm-700sccm，包括端点值。
6.一种P型电池制备方法，其特征在于，包括：
将经过正面制绒的P型硅片放入扩散炉内；
采用权利要求1-5任一项所述磷扩散方法，对所述P型硅片进行磷扩散，在所述P型硅片正面形成PN结；
对磷扩散后的所述P型硅片进行边缘刻蚀处理以及去磷硅玻璃处理；
在所述P型硅片正面沉积减反膜；
在所述P型硅片正面形成正面电极，在所述P型硅片背面形成背面电极；
对所述P型硅片进行烧结，使所述正面电极以及所述背面电极均与所述P型硅片形成欧姆接触。
7.一种N型电池的制备方法，其特征在于，包括：
将经过表面制绒的N型硅片放入扩散炉内；
采用权利要求1-5任一项所述磷扩散方法，对所述N型硅片进行磷扩散，在所述N型硅片的背面形成一层N型扩散层；
对磷扩散后的所述N型硅片进行去磷硅玻璃处理；
在所述N型硅片的正面进行硼扩散形成PN结；
对硼扩散后的所述N型硅片进行边缘刻蚀处理以及去硼硅玻璃处理；
在所述N型硅片表面沉积减反膜；
在所述N型硅片正面形成正面电极，在所述N型硅片背面形成背面电极；
对所述N型硅片进行烧结，使所述正面电极与所述N型硅片形成欧姆接触，使所述背面电极与所述N型扩散层形成欧姆接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利集团有限公司，未经英利集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310263648.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高压电力架空线的模拟导线回路装置
- 下一篇：杀微生物的吡唑衍生物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
