[发明专利]胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201310263748.6 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103515276B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/58;C09J7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 胶粘 薄膜 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种胶粘薄膜，用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上，其中，
所述胶粘薄膜含有环氧树脂和酚醛树脂，
所述胶粘薄膜具有比所述第一半导体元件的厚度T1更厚的厚度T，
所述被粘物与所述第一半导体元件被丝焊连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为40μm以上且260μm以下，或者
所述被粘物与所述第一半导体元件被倒装连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为10μm以上且200μm以下。
2.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，
所述被粘物与所述第一半导体元件被丝焊连接、并且所述厚度T为80μm以上且300μm以下。
3.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，
所述被粘物与所述第一半导体元件被倒装连接、并且所述厚度T为50μm以上且250μm以下。
4.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，
120℃下的熔融粘度为100Pa·s以上且2000Pa·s以下。
5.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
将至少一个第一半导体元件固定到被粘物上的第一固定工序，和
利用权利要求1～4中任一项所述的胶粘薄膜将所述第一半导体元件包埋的同时将与所述第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到所述被粘物上的第二固定工序。
6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述第一固定工序中，利用第一半导体元件固定用的第一胶粘薄膜将所述第一半导体元件固定到所述被粘物上。
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
还包括利用焊线将所述第一半导体元件与所述被粘物电连接的丝焊工序。
8.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述第一固定工序中，通过倒装连接将所述第一半导体元件固定到所述被粘物上。
9.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
还包括在所述第二半导体元件上固定与该第二半导体元件同种或不同种的第三半导体元件的第三固定工序。
10.通过权利要求5所述的半导体装置的制造方法得到的半导体装置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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